SRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)，它使用基于觸發(fā)器的鎖存電路來存儲(chǔ)每個(gè)位。只要有電源，數(shù)據(jù)位就會(huì)保留在存儲(chǔ)器中拓展應用。與動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)不同優勢領先，SRAM不必定期刷新具有重要意義。SRAM有兩種不同的風(fēng)格：同步和異步首要任務。同步SRAM是與稱為時(shí)鐘的外部信號(hào)同步的設(shè)備勇探新路。設(shè)備只會(huì)在時(shí)鐘的特定狀態(tài)下將信息讀取和寫入內(nèi)存新技術。另一方面共同學習，異步SRAM不依賴于時(shí)鐘的狀態(tài)順滑地配合。它會(huì)在收到指令后立即開始向內(nèi)存中讀取或?qū)懭胄畔ⅰ?br />  
賽普拉斯為網(wǎng)絡(luò)、汽車效高、消費(fèi)電子高質量發展、工業(yè)、醫(yī)療高效節能、航空航天和國(guó)防等各種應(yīng)用提供各種高速影響力範圍、低功耗和可靠的SRAM。憑借多樣化的異步新創新即將到來、同步和雙端口SRAM產(chǎn)品組合以及穩(wěn)定供應(yīng)和長(zhǎng)期產(chǎn)品支持的承諾邁出了重要的一步，賽普拉斯是首選的SRAM供應(yīng)商。英尚微代理介紹一款市面上比較受歡迎的一款賽普拉斯4Mbit異步SRAM設施。
 
CY7C1041GN30-10ZSXIT是一款是高性能CMOS快速靜態(tài)RAM需求，按16位組織為256K字。容量4Mbit的高速異步快速SRAM,訪問速度10ns/15ns組合運用，低活動(dòng)和待機(jī)電流更讓我明白了，工作電壓范圍2.2V~3.6V，1.0-V數(shù)據(jù)保留積極，工作溫度-40℃~ 85℃探索，具備TTL兼容的輸入和輸出，封裝采用無鉛44-pinTSOPII產業。
 
引腳配置
     
CY7C1041GN30-10ZSXIT數(shù)據(jù)寫入通過將芯片使能(CE)和寫入使能(WE)輸入置為低電平來執(zhí)行滿意度，同時(shí)在I/O0至I/O15上提供數(shù)據(jù)并在A0至A17引腳上提供地址。字節(jié)高使能(BHE)和字節(jié)低使能(BLE)輸入控制對(duì)指定存儲(chǔ)器位置的高字節(jié)和低字節(jié)的寫操作可持續。BHE通過I/O15控制I/O8主要抓手，BLE通過I/O7控制I/O0。
 
數(shù)據(jù)讀取是通過將芯片使能(CE)和輸出使能(OE)輸入置為低電平并在地址線上提供所需地址來執(zhí)行的服務。讀取數(shù)據(jù)可通過I/O線（I/O0到I/O15）訪問很重要。字節(jié)訪問可以通過置位所需的字節(jié)使能信號(hào)（BHE或BLE）來執(zhí)行，以從指定地址位置讀取數(shù)據(jù)的高字節(jié)或低字節(jié)覆蓋。
 
在以下事件期間異常狀況，所有I/O（I/O0到I/O15）都處于高阻抗?fàn)顟B(tài)：
■設(shè)備被取消選擇(CEHIGH)
■控制信號(hào)（OE、BLE重要意義、BHE）無效
 
借助片上硬件ECC（糾錯(cuò)碼）統籌發展，賽普拉斯的SRAM可以在線執(zhí)行所有與ECC相關(guān)的功能深化涉外，無需干預(yù)體系。更高能量的外星輻射可以翻轉(zhuǎn)多個(gè)相鄰位，導(dǎo)致多位錯(cuò)誤開展試點。ECC的單比特錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正能力由比特交織方案補(bǔ)充攜手共進，以防止多比特錯(cuò)誤的發(fā)生共同。這些特性共同顯著提高了軟錯(cuò)誤率(SER)性能，從而實(shí)現(xiàn)低于0.1FIT/Mbit的行業(yè)領(lǐng)先FIT率經過。


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