在現(xiàn)有的單片機MCU的設計上研究與應用，由于片內(nèi)RAM空間不足有所應，想要解決這個問題要么換更大RAM的MCU廣度和深度，要么就外擴PSRAM。方案選擇主要有兩個問題需要考慮：1.PSRAM的數(shù)據(jù)位數(shù)顯示；2.是否使用鎖存器創新為先。由于IO口資源有限，同時為保證片外PSRAM的速度科普活動。
 
由于單片機RAM內(nèi)存比較小創新延展，限制了很多單片機MCU在智能硬件上的應用，在一般的存儲芯片中PSRAM是屬于偽靜態(tài)SRAM存儲芯片長期間，PSRAM具有SRAM一樣的簡單明了的接口設置基本情況，也不需要像DRAM那樣需要刷新，卻具有DRAM單管的工藝結構高端化，可以在相同單位面積的die(裸片)切割更多的存儲芯片力量，價格相對比SRAM要便宜，在早期的應用中提單產，比較常見的是像智能手機深入實施，電子字典等，或者比如展訊的SC6530發展空間、銳迪科的8851效果、MTK的6250等都有集成Psram的嵌入。
 
外擴PSRAM一般用做內(nèi)存使用足了準備，應用程序的數(shù)據(jù)就是映射到片外的合作關系。所以PSRAM的可靠性必須要保證，必須是零容忍系統。不然就會出現(xiàn)異常死機的情況增強。這對于產(chǎn)品來說是絕對不允許的重要意義。所以雖然硬件軟件已經(jīng)通了交流等，但對PSRAM的壓力測試還是很有必要的。
 
我司英尚微推出的EMI產(chǎn)品EMI7064LSME正是一款串行pSRAM器件規劃，容量64Mbit提高，一般來說如果外擴單片機MCU的RAM資源的話可以使用，需要占用單片機的大量的管腳，而EMI7064LSME這個器件只需要單片機支持SPI接口或者Quad SPI接口就可以實現(xiàn)RAM資源外擴堅實基礎，非常適合于各類智能硬件的應用如圖像處理稍有不慎、數(shù)據(jù)加密、語音處理等地、流媒體應用最為顯著、數(shù)據(jù)采集、通信數(shù)據(jù)處理等規定。
 
國產(chǎn)pSRAM偉凌創(chuàng)芯（EMI）64Mbit Serial SRAM環境，支持1.8v & 3.0V 64Mbit 的SPI/QPI SRAM設備。該RAM可配置為1位輸入和輸出獨立或4位I/O公共接口高質量。所有必要的刷新操作都由設備本身負責相對簡便。EMI代理商支持提供樣品測試及產(chǎn)品解決方案。
 
 
本文關鍵詞：MM32F103 靈動微電子

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