低功耗SRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品服務，作為靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的一種類別關註度，靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器（SRAM）作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器聽得懂，廣泛地嵌入于高性能微處理器攻堅克難。隨著集成電路制造工藝的不斷提升精準調控，存儲(chǔ)器占據(jù)芯片的功耗比例越來(lái)越大，高速低功耗的SRAM設(shè)計(jì)變得越來(lái)越重要溝通機製。
 
ISSI IS62WV12816DBLL-55TI是高速2M位靜態(tài)RAM空間廣闊，位寬為16x128K字。它采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造形勢。這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合實踐者，可產(chǎn)生高性能和低功耗的設(shè)備。通過(guò)使用芯片使能和輸出使能輸入提供輕松的內(nèi)存擴(kuò)展約定管轄。有效的低寫入使能控制存儲(chǔ)器的寫入和讀取數據。數(shù)據(jù)字節(jié)允許高字節(jié)和低字節(jié)訪問(wèn)。
 
IS62WV12816DBLL-55TI高速存取時(shí)間為55ns,采用CMOS低功耗操作,工作電壓為2.5V~3.6V,完全靜態(tài)操作,無(wú)需時(shí)鐘或刷新,三態(tài)輸出,高字節(jié)和低字節(jié)的數(shù)據(jù)控制,工作溫度范圍為–40℃ to +85℃發揮，采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)44引腳TSOP(TYPEII)封裝顯著。ISSI代理英尚微電子支持提供樣品測(cè)試及技術(shù)支持。
 
ISSI主要為汽車開放以來，通信占，數(shù)字消費(fèi)，以及工業(yè)和醫(yī)療市場(chǎng)設(shè)計(jì)開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者提供了有力支撐。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度 DRAM激發創作。還設(shè)計(jì)和銷售 NOR 閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號(hào)集成電路。

本文關(guān)鍵詞：IS62WV12816DBLL-55TI,SRAM

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