串行NVSRAM提供非易失性ram存儲組建，非常適合需要經(jīng)常寫入內(nèi)存的應(yīng)用程序自行開發。該設(shè)備的成本明顯低于其他非易失性ram設(shè)備應用的因素之一，并且使用外部電池支持?jǐn)?shù)據(jù)約定管轄。這款8針SPI器件支持對存儲器陣列的無限制瞬時寫入深入交流，使其成為儀表、數(shù)據(jù)記錄器穩步前行、數(shù)據(jù)記錄器或黑匣子等應(yīng)用的理想選擇增持能力。
 
Microchip微芯23LCV512是一款容量512Kb串行SRAM，可與微控制器MCU系列的串行外設(shè)接口端口連接同時。23LCV512還能夠在SDI（或雙SPI）模式下運(yùn)行互動式宣講。23LCV512包含一個8位指令寄存器。它還可以通過使用在固件中正確編程以匹配SPI協(xié)議的離散I/O線與沒有內(nèi)置SPI端口的微控制器連接模式。
 
Microchip微芯23LCV512支持電池供電的NVSRAM自動化。存儲器通過簡單的串行外設(shè)接口(SPI)兼容串行總線訪問。如果您的應(yīng)用需要更快的數(shù)據(jù)速率通過活化，則支持SDI（串行雙接口）落地生根。SRAM可以通過Vbat引腳由電池供電，從而使SRAM成為非易失性健康發展。該器件還支持對陣列的無限讀寫周期有效保障。23LCV512采用標(biāo)準(zhǔn)封裝，包括8引腳SOIC長效機製、PDIP和高級8引腳TSSOP講實踐。更多產(chǎn)品相關(guān)詳情資料聯(lián)系英尚微。

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