十二英寸新增產(chǎn)能當(dāng)中約65%為成熟制程（28nm及以上）適應性強，該制程產(chǎn)能年增率達(dá)20%，顯見(jiàn)2022年各晶圓代工廠多半將擴(kuò)產(chǎn)重心放置于十二英寸晶圓產(chǎn)能深入闡釋，且以成熟制程為主軸應用前景，而主要擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)能來(lái)自于臺(tái)積電影響、聯(lián)電可持續、中芯國(guó)際了解情況、華虹集團(tuán)旗下HHGrace共同，以及合肥晶合集成。
 
由于近期28nm以上制程節(jié)點(diǎn)擴(kuò)產(chǎn)活動(dòng)較著重于特殊制程的多元性發(fā)展為產業發展，Power相關(guān)功率半導(dǎo)體制程大致可分power discrete與Power IC兩大類範圍和領域，其中，以MOSFET各項要求、IGBT等功率晶體管為主流產(chǎn)品的power discrete更高要求，受到5G基礎(chǔ)建設(shè)、消費(fèi)性快充新技術、車用電子共同學習、電動(dòng)車等產(chǎn)品單位功率元件消耗量增加而需求急速增長(zhǎng)。
 
整體市場(chǎng)長(zhǎng)期由國(guó)際IDM廠主導(dǎo)聽得懂，如英飛凌應用優勢、安森美高質量發展、意法半導(dǎo)體等全方位，全球IDM廠囊括約80~90%市占，fabless則占約10~20%影響力範圍。晶圓代工業(yè)者方面大局，除既有fabless客戶需求逐年提升外，近年來(lái)由于IDM自有工廠擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)程較為保守邁出了重要的一步，導(dǎo)致供不應(yīng)求情況頻傳有序推進，IDM廠亦陸續(xù)將產(chǎn)品委外給晶圓代工廠。
 
PMIC方面積極拓展新的領域，現(xiàn)階段多半采取BCD平臺(tái)技術(shù)配套設備，并以八英寸0.18-0.11µm制程節(jié)點(diǎn)制造為主流。受惠于5G智能手機(jī)相對開放、數(shù)據(jù)中心推進高水平、電動(dòng)車等技術(shù)規(guī)格升級(jí)，帶動(dòng)PMIC需求于近年來(lái)大幅提升拓展應用，然而生產創效，由于八英寸產(chǎn)能增幅有限，以及因應(yīng)新一代主芯片發(fā)布帶動(dòng)的周邊料況更新需求管理，各晶圓代工廠也陸續(xù)協(xié)助客戶將部分PMIC轉(zhuǎn)進(jìn)至十二英寸生產(chǎn)優化上下，而PMIC規(guī)劃轉(zhuǎn)進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)為90/55nm，并以智能手機(jī)模樣、服務(wù)器等應(yīng)用為主生產體系，包含臺(tái)積電服務、聯(lián)電、力積電參與水平、HHGrace大型、中芯國(guó)際等都有布局。


本文關(guān)鍵詞：晶圓,PMIC,MOSFET

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