微芯Microchip存儲(chǔ)芯片芯片23LCV512是一款容量為512Kbit串行SRAM器件對外開放。位寬64Kx8位組織，存儲(chǔ)器通過簡(jiǎn)單的串行外設(shè)接口(SPI)兼容串行總線訪問性能穩定。如果應(yīng)用需要更快的數(shù)據(jù)速率營造一處，則支持SDI（串行雙接口）。SRAM可以通過Vbat引腳由電池供電運行好，從而使SRAM成為非易失性的可能性。該器件還支持對(duì)陣列的無限讀寫周期形式。支持的溫度范圍-40℃至+85℃穩定發展。23LCV512采用標(biāo)準(zhǔn)封裝基石之一，包括8引腳SOIC、PDIP和高級(jí)8引腳TSSOP增持能力。
 
國產(chǎn)偉凌創(chuàng)芯（EMI）SRAM芯片SCLPSRAC1可替代微芯23LCV512存儲(chǔ)器共同努力。
 
偉凌創(chuàng)芯SCLPSRAC1是一款SPI SRAM靜態(tài)存儲(chǔ)芯片，存儲(chǔ)器容量大小為512Kbit追求卓越。它在內(nèi)部組織為64K字逐漸完善，每個(gè)字8位。該器件采用最先進(jìn)的CMOS技術(shù)設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗是目前主流。
 
SCLPSRAC1工作溫度范圍：-40℃~+85℃充分發揮，電源電壓范圍2.7V~3.6V，工作電流最大2mA@1MHz充分發揮，待機(jī)電流最大15µA@25℃提高，具備SPI兼容接口，最大時(shí)鐘頻率20MHz的特性。我司英尚微電子作為偉凌創(chuàng)芯EMI總代理商，可提供樣品測(cè)試及產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持基礎。
 
串行SRAM是一種獨(dú)立的易失性存儲(chǔ)器提供堅實支撐，它為您提供了一種簡(jiǎn)單且廉價(jià)的方式來為您的應(yīng)用程序添加更多ram。這些8引腳低功耗高產、高性能SRAM器件具有無限的耐用性和零寫入時(shí)間信息化技術，使其成為涉及連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸、緩沖數據、數(shù)據(jù)記錄創新的技術、音頻、視頻顯著、互聯(lián)網(wǎng)快速增長、圖形和其他數(shù)學(xué)和數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的理想選擇功能。


本文關(guān)鍵詞：SRAM,SCLPSRAC1,23LCV512

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