PSRAM存儲芯片是常用的外部存儲設(shè)備。具有SRAM接口協(xié)議創造性、給出地址也逐步提升、讀寫指令不要畏懼、實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲習慣。不需要復(fù)雜的內(nèi)存控制器來控制內(nèi)存單元來定期刷新數(shù)據(jù)重要的。傳統(tǒng)的SRAM它由六個晶體管組成cell培訓，而psram它由一個晶體管制成一個電容構(gòu)成一個存儲cell適應性，因此psram可實現(xiàn)較大的存儲容量覆蓋。
 
串行PSRAM的低引腳封裝和傳統(tǒng)RAM儲存相比異常狀況，具有尺寸小、成本低等優(yōu)點。串行psram對外互聯(lián)通過八路串聯(lián)應用創新，最高為200MHz雙倍數(shù)據(jù)速率在速度下提高，可實現(xiàn)超3Gbps帶寬傳送。相比較于傳統(tǒng)存儲器具有更大的帶寬的特性。
 
串行PSRAM選用DRAM架構(gòu)交流，能有效壓縮芯片體積，串行psram生產(chǎn)成本接近DRAM成本共同，具有成本較低的優(yōu)勢推進一步。psram自刷新無需刷新電路即可存儲其內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)；DRAM每隔一段時間簡單化，刷新充電一次力度，否則內(nèi)部數(shù)據(jù)就會消失，psram相比傳統(tǒng)RAM會有更廣泛的應(yīng)用系統性。
 
PSRAM目前支持的標準有JEDEC JESD251A(Profile 2.0)勇探新路、HyperRAM、Xccela standards傳遞，其對應(yīng)的廠家為apmemory(愛普科技)試驗。
 
愛普科技APS6404L該PSRAM存儲器器件具有高速，低引腳數(shù)接口開展攻關合作。具有4個SDR I/O引腳製度保障，并以高達144 MHz的頻率在SPI或QPI模式下運行。適合于低功耗和低成本便攜式應(yīng)用的有效手段。結(jié)合了無縫的自我管理刷新機制統籌推進。因此它不需要系統(tǒng)主機支持DRAM刷新。采用小尺寸封裝8引線USON-8L 3x2mm關鍵技術。AP Memory代理商英尚微電子提供驅(qū)動的必然要求、例程以及必要的FAE支持。

 
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