雖然很多單片機(jī)內(nèi)部集成SRAM空間調整推進，但是在一些需要大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的場合競爭力，SRAM仍然不夠用優化程度，需要外擴(kuò)SRAM芯片拓展基地，來擴(kuò)展處理器的性能充分發揮。
 
IS61WV25616B芯片的訪問時(shí)間為8到12ns，典型功耗為85mW組合運用，低功耗模式最低僅為0.6mW服務好，常見的供電電壓VCC為3.3V，靜態(tài)操作方式優勢，不需要自刷新敢於監督，這點(diǎn)和SDRAM芯片不同。輸出也是三態(tài)輸出結構，有TSOP-32重要的作用，TSOP44和BGA-36等多種封裝。CE引腳是低電平有效規模最大。
 
SRAM芯片使用時(shí)的注意事項(xiàng)：SRAM芯片一般使用異步接口;電源需要加去耦電容穩中求進，一般100nf取值，靠近芯片引腳放置;SRAM芯片國內(nèi)也有很多廠家在出售最深厚的底氣，性能還不錯(cuò)協同控製，可以考慮國產(chǎn)芯片成本更低。
 
國產(chǎn)SRAM芯片廠家偉凌創(chuàng)芯EMI504WF16可替換IS61WV25616B品質，此款EMI504WF16異步快速SRAM芯片位寬為256K*16K字試驗。使用16條公共輸入和輸出線，并有一個(gè)輸出使能引腳開展攻關合作，其運(yùn)行速度比讀取周期中的地址訪問時(shí)間快製度保障。封裝采用TSOP44 2封裝，適用于高密度高速系統(tǒng)應(yīng)用的有效手段。更多產(chǎn)品詳情請(qǐng)洽代理英尚微統籌推進。
 

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