EMD3D256M DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM是一種容量為256Mb（32Mb x 8、16Mb x 16）DDR3的非易失性存儲器結構不合理，可在DDR3速度下提供非易失性和高耐用性。能夠以高達 1333MT/Sec/Pin的速率進行DDR3操作生產體系。符合所有DDR3 DRAM功能，包括設(shè)備端接 (ODT) 和內(nèi)部ZQ校準很重要，但具有數(shù)據(jù)持久性和極高的寫入周期耐久性的優(yōu)勢能力和水平。采用Spin-Torque MRAM 技術(shù)，無需單元刷新異常狀況，極大地簡化了系統(tǒng)設(shè)計并降低了開銷研究。
 
Everspin自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM所有控制和地址輸入都與一對外部提供的差分時鐘同步，輸入鎖存在時鐘交叉點應用創新。I/O與一對雙向選通脈沖（DQS提高、DQS）同步。采用 RAS/CAS 多路復(fù)用方案的特性，工作電壓為 1.5V交流。更多產(chǎn)品詳情請洽英尚國際基礎。
 
DDR3 STT-MRAM是一種高速自旋扭矩磁阻隨機存取存儲器。每當設(shè)備因任何原因斷電時還不大，關(guān)閉/預(yù)充電銀行中的所有數(shù)據(jù)都會保留在內(nèi)存中高產。在某些情況下，命令時間會有所不同發揮作用。DDR3 標準適用于高于256Mb的密度良好，從而導(dǎo)致尋址和頁面大小不同。


本文關(guān)鍵詞：STT-MRAM,Everspin

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