JSC是專門從事存儲(chǔ)半導(dǎo)體總體解決方案的存儲(chǔ)器公司。開發(fā)了自己的移動(dòng)SDRAM系列進展情況，SRAM系列和各種其他NAND MCP效果較好，一直領(lǐng)先于市場(chǎng)趨勢(shì)堅定不移，不斷為各種物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供優(yōu)化的內(nèi)存產(chǎn)品進一步提升。瞄準(zhǔn)物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域線上線下，保持在物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的競爭力競爭力，并成為存儲(chǔ)器半導(dǎo)體領(lǐng)域的總體解決方案提供商新的力量。目前面向以下市場(chǎng)：物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)絡(luò)穩中求進、移動(dòng)統籌、消費(fèi)者等，同時(shí)能夠熟練地適應(yīng)不斷變化的市場(chǎng)協同控製。
 
EM610FV8T-70LF采用JSC先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造振奮起來。這些系列支持工業(yè)溫度范圍和芯片規(guī)模封裝，以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的用戶靈活性利用好。該系列還支持低數(shù)據(jù)保留電壓深入各系統，以便在低數(shù)據(jù)保留電流下進(jìn)行電池備份操作。詳情聯(lián)系JSC代理RAMSUM系列。
 
EM610FV8T-70LF特征
•工藝技術(shù)：0.18m全CMOS
•組織：128K x 8位
•電源電壓：2.7V～3.6V
•低數(shù)據(jù)保持電壓：1.5V（最小值）
•三態(tài)輸出和TTL兼容
•封裝采用32-TSOP1
 
低功耗SRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品作用，SRAM作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器相互配合，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝的不斷提升高質量，存儲(chǔ)器占據(jù)芯片的功耗比例越來越大相對簡便，高速低功耗的SRAM設(shè)計(jì)變得越來越重要。


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