鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM，F(xiàn)RAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質(zhì)在此基礎上，利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點來實現(xiàn)信息存儲等地。
     
FRAM技術(shù)特點：
非易失性：斷電后數(shù)據(jù)不會丟失研究成果，是非易失性存儲器智能設備；
讀寫速度快：無延時寫入數(shù)據(jù)重要意義，可覆蓋寫入推廣開來；
壽命長：可重復(fù)讀寫提供堅實支撐，重復(fù)次數(shù)可達(dá)到萬億次奮戰不懈，耐久性強(qiáng)市場開拓，使用壽命長；
功耗低：待機(jī)電流低大大縮短，無需后備電池要落實好，無需采用充電泵電路；
可靠性高：兼容CMOS工藝更默契了，工作溫度范圍寬先進技術，可靠性高。
 
FRAM產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫不合理波動、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結(jié)合在一起宣講手段。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度，像工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行和并行接口積極拓展新的領域，工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的封裝類型配套設備，以及4Kbit、16Kbit多種方式、64Kbit對外開放、256Kbit和1Mbit等密度。

本文關(guān)鍵詞：鐵電存儲器,FRAM

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