STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速發展、高耐久性結論、單字節(jié)訪問(wèn)的工作穩中求進，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性應用擴展，保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)線上線下。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
 
STT-MRAM的優(yōu)點(diǎn)
•足夠快技術研究，可以作為工作記憶→更換psRAM和SRAM
•非易失性經過，無(wú)需電源即可維護(hù)數(shù)據(jù)→替換nvSRAM、NOR
•無(wú)電容器有所增加，無(wú)需電池→更換nvSRAM+Super Cap各項要求。和SRAM+電池
 
MRAM產(chǎn)品應(yīng)用
•工業(yè)、汽車越來越重要的位置、航空電子和航天應(yīng)用
-寬溫度范圍新技術，低軟錯(cuò)誤率，比Flash更可靠
•物聯(lián)網(wǎng)和關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)
-斷電時(shí)立即備份
-無(wú)需從Flash啟動(dòng)
-無(wú)需復(fù)制到DRAM或SRAM
•醫(yī)療系統(tǒng)
-快速數(shù)據(jù)記錄
•企業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
-寫入緩沖區(qū)不要畏懼、元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)服務為一體、索引存儲(chǔ)器
•更換LP SRAM、NOR閃存逐漸顯現、EEPROM
•豐富的嵌入式應(yīng)用程序
-在高性能多處理器系統(tǒng)中替換大緩存
-用于AI系統(tǒng)的分布式持久存儲(chǔ)器
-更換eFlash全會精神、eSRAM和eDRAM

本文關(guān)鍵詞：STT-MRAM,MRAM

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