近些年來SIC技術(shù)成熟有序推進，SIC MOSFET價格大幅下降，應(yīng)用領(lǐng)域進一步擴大需求。在不久的將來堅定不移，它將成為新一代流行的低損耗電力設(shè)備。在具體的工程應(yīng)用更讓我明白了、設(shè)計和開發(fā)過程中迎難而上，我們經(jīng)常需要檢查SIC MOSFET分析開關(guān)特性、靜態(tài)特性和功率損耗充分，便于有效評估整個系統(tǒng)的效率進一步完善。
 
為何SIC MOSFET短路耐受時間很屑?「偁幜?？
 
短路耐受時間(tsc)這是功率半導(dǎo)體器件一個非常重要的參數(shù)，這就是為什么它現(xiàn)在成為一個在SiC推廣和應(yīng)用中多次提到的原因狀況。SIC的短路能力相對于先進的Si基IGBT來講是低的機製性梗阻。SIC宣傳這么強的材料特性，為什么短路能力這么不夠全過程？
 
IGBT短路發(fā)生時集成應用，必須在10us或者在更短的時間內(nèi)關(guān)掉IGBT，其他參數(shù)可以控制相同的短路能耗不負眾望，如柵極電壓VGE高效流通，母線電壓等，但最終都是為了保證IGBT不會因為過熱而失效精準調控。SIC MOSFET原來短路能力小功能，根本原因也是因為熱，是因為短路前后的溫度分布不科學(xué)解決！


本文關(guān)鍵詞：SIC MOSFET

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