MR4A16BCYS35一款16位的并口并行總線MRAM 非易失性芯片
2018-05-18 10:03:53
Everspin MR4A16B 16Mb并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫周期，并擁有出色耐久性高效利用。
MR4A16B由1,048,576字 x 16位構(gòu)成姿勢。對于這款MRAM來說深入實施，數(shù)據(jù)保持期長達(dá)20年以上而不會丟失影響力範圍，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護(hù)各有優勢，以防止在非工作電壓期間寫入系統。
MR4A16B采用48引腳球柵陣列 (BGA) 小型封裝和54引腳微小外形封裝 (TSOPII)處理方法。
這款器件能夠在商業(yè)級（0至+70 °C）雙向互動、工業(yè)級（-40至+85 °C）與擴(kuò)展級（-40至+105 °C）溫度范圍內(nèi)工作效率和安，并在整個溫度范圍內(nèi)保持高度可靠的數(shù)據(jù)存儲能力。
本文關(guān)鍵詞：并行MRAM
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