Everspin推出基于格羅方德28nm工藝的1Gb STT-MRAM
2019-10-17 11:04:24
Everspin 近日宣布，其已開(kāi)始試生產(chǎn)最新的 1Gb STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻）非易失性隨機(jī)存取器全過程。去年 12 月的時(shí)候，其已發(fā)布了首批預(yù)生產(chǎn)樣品核心技術。新 MRAM 器件采用格羅方德（GlobalFoundries）的 28nm 工藝制造，與當(dāng)前的 40nm 256Mb 器件相比主動性，其在密度和容量方面有了重大的進(jìn)步創造性。預(yù)計(jì)今年下半年的時(shí)候，其產(chǎn)能會(huì)開(kāi)始增加。
新器件提供了 8 / 16-bit 的 DDR4-1333 MT/s（667MHz）接口規模設備，但與較舊的基于 DDR3 的 MRAM 組件一樣真諦所在，時(shí)序上的差異使得其難以成為 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器）的直接替代品。
低容量的特性競爭力，使得 MRAM 組件更適用于嵌入式系統(tǒng)充分，其中 SoC 和 ASIC 可更容易地設(shè)計(jì)兼容的 DDR 控制器。
據(jù)悉最新的 1Gb 容量 STT-MRAM 擴(kuò)大了 MRAM 的吸引力廣泛應用，但
Everspin 仍需努力追趕 DRAM 的存儲(chǔ)密度關註度。
當(dāng)然我們并不指望 MRAM 專用存儲(chǔ)設(shè)備可以迅速在市面上普及（SSD或 NVDIMM）。畢竟市面上的混合型 SSD哪些領域，仍依賴于 NAND 閃存作為主要存儲(chǔ)介質(zhì)敢於挑戰。
目前行業(yè)內(nèi)已通過(guò) MRAM 來(lái)部分替代 DRAM，比如 IBM 就在去年推出了 FlashCore 模塊積極，以及希捷在 FMS 2017 上展示的原型探索。
需要指出的是盡管 Everspin 不是唯一一家致力于 MRAM 技術(shù)的公司堅持先行，但它們卻是分立式 MRAM 器件的唯一供應(yīng)商產業。
作為與格羅方德合作生產(chǎn)的第二款分立型 MRAM 器件，他們還在 GloFo 的 22nm FD-SOI 工藝路線圖中嵌入了 MRAM 情況較常見。
鑒于該工廠取消了 7nm 和更低制程的計(jì)劃可持續，包括嵌入式內(nèi)存在內(nèi)的特殊工藝對(duì)其未來(lái)顯然至關(guān)重要。
本文關(guān)鍵詞： Everspin
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