自旋轉(zhuǎn)矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ST-MRAM）有望成為一種快速，高密度的非易失性存儲(chǔ)器，可以增強(qiáng)各種應(yīng)用程序的性能多樣性，特別是在用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)中的非易失性緩沖器時(shí)設(shè)備和系統(tǒng)措施。為此，everspin開發(fā)了基于90nmCMOS技術(shù)的全功能64Mb DDR3 STT-MRAM組合運用。存儲(chǔ)器以8個(gè)存儲(chǔ)區(qū)的配置進(jìn)行組織，可支持1.6Giga Transfers/s（DDR3-1600）。已經(jīng)在800MHz的全64Mb上運(yùn)行了標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存測(cè)試性能穩定，例如March6N模式，其中0失敗超過105個(gè)周期作用。還驗(yàn)證了從0°C到70°C的完整功能情況正常，性能沒有明顯變化。這些位是具有MgO隧道勢(shì)壘的磁性隧道結(jié)（MTJ）和由CoFeB基合金制成的具有平面內(nèi)磁化強(qiáng)度的磁性自由層最為突出，但由于以下原因落實落細，平面外各向異性降低了50％以上增強(qiáng)的垂直表面各向異性。

為了實(shí)現(xiàn)64Mb的性能高效化，Everspin開發(fā)了具有低開關(guān)電壓（Vsw）製高點項目，高擊穿電壓（Vbd）和出色的開關(guān)可靠性且分布緊湊的MTJ堆疊。ST開關(guān)分布的σ≈10％範圍和領域，我們發(fā)現(xiàn)與單一高斯分布（誤差率低）的一致性極好有所增加。對(duì)于我們優(yōu)化的材料，Vsw/Vbd≈0.3更高要求，而Vsw和Vbd之間的間距約為25σ越來越重要的位置。磁化反轉(zhuǎn)的能壘（Eb）既使用隨時(shí)間變化的矯頑力，又使用較高的溫度來加速反轉(zhuǎn)學習。