迅速發(fā)展的IoT繼續(xù)為消費者和行業(yè)帶來革命性的變化，并增強了他們的日常使用體驗，尤其是在邊緣增加處理能力的需求下主要抓手。健身追蹤器和智能揚聲器，農(nóng)業(yè)及工廠機器都是這樣的例子影響力範圍。特定的應用程序都規(guī)定了內(nèi)存要求。豐富的嵌入式物聯(lián)網(wǎng)體驗推動了對更多外部板載內(nèi)存的需求新創新即將到來。
 
在這些應用程序中添加AI/ML進一步改變了內(nèi)存需求應用提升，通常需要更多和更高帶寬的內(nèi)存。物聯(lián)網(wǎng)應用程序需要保持受約束的物理外形尺寸創造性，功率散熱范圍以及較低的BOM成本，這增加了其他設(shè)計約束基礎。對于這些應用程序來說性能，理想的候選內(nèi)存應該是什么問題，現(xiàn)在已經(jīng)成為許多產(chǎn)品團隊的首要任務(wù)對外開放，提出并研究了新的存儲器類型技術創新。基于PSRAM技術(shù)的AP存儲器IoT ram存儲器解決方案已與IoT /嵌入式設(shè)備中普遍使用的許多現(xiàn)有MCU/SoC/FPGA無縫協(xié)作資料，解決了對額外外部存儲器的需求廣泛應用，同時使設(shè)計人員更容易遵守其外部存儲器產(chǎn)品設(shè)計約束。
   
嵌入式/外部SRAM和DRAM解決方案的時間已不多了
 
SRAM仍然是最接近處理器的高速訪問存儲器橫向協同，具有最高的速度和最低的延遲哪些領域。然而SRAM具有幾個缺點。常規(guī)的6T SRAM布局拓撲無法與過程節(jié)點的縮小相對應地擴展不斷創新。當由于對更豐富的IoT應用程序的需求而對更多內(nèi)存的需求不斷增加時建立和完善，這同時發(fā)生。嵌入式SRAM產(chǎn)生的泄漏功率會隨著CPU功耗的使用而不斷增加參與水平。對于功耗優(yōu)化的情況（對于最新的IoT應用程序存在更高的內(nèi)存要求）大型，這顯然不是最佳選擇，因此SRAM將是一個棘手的解決方案明確相關要求。
     
外部DRAM也可以考慮用于物聯(lián)網(wǎng)應用體系，并且由于其性能而仍比SRAM保持顯著的成本優(yōu)勢生產製造，它由單個晶體管和電容器組成，從而可以實現(xiàn)更高的陣列密度共創輝煌。對于大多數(shù)插入電氣主線的應用具有重要意義，外部DRAM可能是可接受的解決方案。但是外部DRAM的引腳數(shù)很高大部分，集成起來很復雜強大的功能。同樣傳統(tǒng)的低密度SDRAM是在較舊的處理節(jié)點上設(shè)計的，并且由于其大小解決方案，它們不適用于許多緊湊型節(jié)能系統(tǒng)優勢。是否有一種內(nèi)存替代方案可以在滿足更豐富的物聯(lián)網(wǎng)體驗不斷增長的需求的同時，保持較高的性能水平基礎，降低成本和降低功耗提供堅實支撐？
 
 
本文關(guān)鍵詞： IoT ram

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