用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替換賽普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM

 

每次使用MRAM進行寫操作都會立即保持至少20年的非易失性引領作用。沒有數(shù)據(jù)從易失性存儲單元傳輸?shù)椒且资源鎯卧矝]有外部電容器或備用電池。消除了外部組件，高度可靠的數(shù)據(jù)保留以及35ns SRAM兼容的讀/寫訪問時間，使Everspin MRAM成為替代Cypress CY14B104NA-BA / ZS45XI nvSRAM的可行選擇狀況，而不會影響系統(tǒng)性能。

 

Everspin是商業(yè)上可行的MRAM技術(shù)的全球領導者，Everspin MRAM產(chǎn)品出現(xiàn)在數(shù)百個需要高速技術先進，可靠，非易失性存儲器的應用中作用。

 

Everspin MRAM解決方案提供：

•始終非易失情況正常。沒有不可靠的電容器相關(guān)備用周期

•不需要Vcap或Vbatt

•立即斷電（<1ns），無數(shù)據(jù)丟失

•沒有復雜的軟件存儲/調(diào)用例程

•快速啟動時間（2ms和20ms）

•無限的讀寫周期-無磨損問題

•20年數(shù)據(jù)保留技術特點，無循環(huán)依賴

•更少的組件意味著更小的設計尺寸和更低的BOM成本

•直接替代賽普拉斯NV-SRAM

 

Everspin MR2A16AxYS35（44-TSOP2）和MR2A16AxMA35（FBGA）存儲器的引腳提高鍛煉，時序和封裝分別與CYPRESS CY14B104NA-ZS和CY14B104NABA nvSRAM兼容。

 

Everspin MRAM和nvSRAM都具有標準的兼容異步SRAM時序凝聚力量。但是MRAM即使在斷電后無限制的時間和整個溫度循環(huán)中也可以保留數(shù)據(jù)有所提升。 MRAM具有35 ns的讀/寫周期時間，與類似的nvSRAM速度等級選項兼容新的力量。

 

請務必注意先進水平，Everspin MR2A16Axxx器件至少需要12ns的保持時間便利性，從寫使能（和芯片使能）高到地址無效。大多數(shù)微處理器可以容納這個保持時間重要平臺。


Everspin MR2A16Axxx35x系列型號表格

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs)/ T&R
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	Commercial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	Industrial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP2	3.3V	Extended	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP2	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	Commercial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	Industrial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	Extended	2,000

本文關(guān)鍵詞： MRAM

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