汽車產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷史上最大幅度的轉(zhuǎn)型取得明顯成效。通過全新FRAM解決方案空白區，得以支持創(chuàng)新公司將創(chuàng)意轉(zhuǎn)化為實(shí)際產(chǎn)品。富士通推出的FRAM解決方案——MB85RS128TY和MB85RS256TY緊密協作，這兩款器件可在高達(dá)攝氏125度的高溫環(huán)境下運(yùn)作傳遞，專為汽車產(chǎn)業(yè)和安裝有電機(jī)的工業(yè)控制機(jī)械等設(shè)計(jì)，且符合嚴(yán)苛的汽車行業(yè)AEC Q100標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。希望通過該全新產(chǎn)品系列拓展其汽車市場的各種應(yīng)用，并支持產(chǎn)品創(chuàng)新的研發(fā)項(xiàng)目發揮效力。
 
FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲器（內(nèi)存）明顯。FRAM的數(shù)據(jù)保持安全鏈，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM技術創新、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，具有優(yōu)越的高速寫入重要作用、高讀寫耐久性和低功耗性能持續向好。
 
車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加，因此對于高效能非易失性內(nèi)存技術(shù)的需求也越來越高充足，因?yàn)楫?dāng)系統(tǒng)在進(jìn)行資料分析或是其他數(shù)據(jù)處理時(shí)進展情況，只有這類內(nèi)存才能夠可靠而無延遲地儲存?zhèn)鞲衅魉鸭臄?shù)據(jù)。由于FRAM鐵電存儲器屬于非失去性內(nèi)存綠色化發展，不僅能進(jìn)行高速隨機(jī)存取至關重要，且擁有高耐寫度的特性，因此能以最佳的性能滿足這類應(yīng)用的需求用上了。
   
富士通電子車用FRAM 產(chǎn)品MB85RS128TY和MB85RS256TY搭配SPI界面提升行動，提供128kbit和256kbit兩個(gè)容量。其操作電壓范圍為1.8~3.6V關註，操作溫度范圍為攝氏零下40~125度研究進展，這樣的寬溫范圍符合車用市場標(biāo)準(zhǔn)及高溫環(huán)境下的工業(yè)應(yīng)用需求。MB85RS128TY和MB85RS256TY提供高達(dá)10兆次的寫入次數(shù)連日來，采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-8封裝快速融入。
 
目前FRAM器件能支持如安全氣囊數(shù)據(jù)儲存、事故數(shù)據(jù)記錄器（EDR）系統、電池管理系統(tǒng)（BMS）增強、汽車駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）及導(dǎo)航與信息娛樂系統(tǒng)等應(yīng)用中的實(shí)時(shí)且持續(xù)的數(shù)據(jù)儲存更合理，故能降低系統(tǒng)復(fù)雜度并提高數(shù)據(jù)完整性。
 
 
本文關(guān)鍵詞： FRAM  富士通   MB85RS128TY  MB85RS256TY

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