MRAM（磁性RAM）是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)（MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備）。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力，能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起善於監督，同時(shí)始終保持非易失性和高能效狀態。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行共同，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車(chē)，工業(yè)先進技術，軍事和太空應(yīng)用，Everspin代理英尚微電子為用戶提供技術(shù)指導(dǎo)及產(chǎn)品應(yīng)用解決方案不合理波動。
 
基于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的磁力計(jì)將使用MRAM替代日本研究衛(wèi)星上的靜態(tài)RAM和閃存宣講手段。MRAM取代了Angstrom的SpriteSat模塊中的閃存和電池供電的SRAM。MRAM在衛(wèi)星任務(wù)的各個(gè)階段重新配置關(guān)鍵程序和航線定義的能力是一項(xiàng)重大收益積極拓展新的領域。
 
工程師在SpriteSat上檢查了Angstrom航空航天公司基于MRAM的磁力計(jì)子系統(tǒng)配套設備，該子系統(tǒng)將由日本航空航天開(kāi)發(fā)局啟動(dòng)。
 
MRAM于1990年代構(gòu)想相對開放，可以替代從RAM到硬盤(pán)的各種類(lèi)型的內(nèi)存推進高水平。由于它是固態(tài)的，因此MRAM超越了硬盤(pán)的旋轉(zhuǎn)機(jī)制。同樣生產創效，由于單個(gè)位可以無(wú)限次地擦除和重寫(xiě)結構，因此MRAM超過(guò)了閃存，后者只能在小于100萬(wàn)次的大塊中擦除和重寫(xiě)優化上下，直到位開(kāi)始失效能力建設。MRAM也是非易失性的。
 
Angstrom Aerospace在其衛(wèi)星子系統(tǒng)中僅使用MRAM生產體系。MRAM將保存存儲(chǔ)的程序數(shù)據(jù)以及其現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列的配置位服務。此外MRAM相對(duì)容易的重新編程能力將允許通過(guò)將新的內(nèi)存映像上傳到MRAM來(lái)從頭對(duì)程序代碼和FPGA進(jìn)行重新配置。

 
例如Everspin MRAM MR2A16A存儲(chǔ)4 Mbit數(shù)據(jù)能力和水平，對(duì)于軍事和航空航天等利基應(yīng)用覆蓋，MRAM開(kāi)始取代其他類(lèi)型的內(nèi)存。MR2A16A是永久存儲(chǔ)和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序的理想存儲(chǔ)器研究。擁有商業(yè)高效，工業(yè)運(yùn)行溫度。MR2A16A MRAM具有在-55至+125攝氏度的溫度范圍內(nèi)符合軍事規(guī)格深化涉外。Everspin MRAM在-40至+105攝氏度下運(yùn)行體系。提供AEC-Q100 1級(jí)合格選項(xiàng)。35ns的讀寫(xiě)速度開展試點，具有無(wú)限的耐力合理需求。數(shù)據(jù)非易失性，使用壽命長(zhǎng)達(dá)20年充分發揮。數(shù)據(jù)保留掉電高質量。符合RoHS的軟件包等功能。


本文關(guān)鍵詞： MRAM   MR2A16A

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