FRAM存儲器提供即時寫入功能相互融合，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率組建，以支持對功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守傳遞。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術(shù)的興趣持續，因為其使用解決了這些缺點(diǎn)全面協議。
 
這些吸引人的特性是鋯鈦酸鉛（PZT）是其中一種材料的鐵電性能的結(jié)果滿意度。PZT具有鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)方案，中心有一個陽離子（見圖1）開展試點。該陽離子可以處于兩個位置之一相結合，并且可以通過施加電場來切換位置高效化。每個轉(zhuǎn)換都會產(chǎn)生“開關(guān)電荷”（Q s），可以將其讀取以表示邏輯1或0為產業發展。
    鐵電存儲器的操作與浮柵技術(shù)衍生的傳統(tǒng)可寫非易失性存儲器的操作完全不同，后者通過將電荷存儲在位單元中來工作各項要求。閃存或EEPROM存儲器使用電荷泵在芯片上產(chǎn)生高電壓（10 V或更高）更高要求，并迫使電荷載流子通過柵極氧化物。這產(chǎn)生長的寫入延遲并且需要高的寫入功率新技術，這對存儲單元具有破壞性共同學習。
 
相比之下，F(xiàn)RAM的寫入速度實際上是即時的-只需幾皮秒深入。由于持續(xù)時間短效高，該寫操作可由FRAM存儲芯片的固有電容供電。這意味著基礎，一旦將數(shù)據(jù)提供給設(shè)備的引腳性能，就可以保證即使系統(tǒng)電源出現(xiàn)故障也可以存儲數(shù)據(jù)，并且無需電容器或任何其他外部電源集中展示。即時寫入速度還意味著板上無需高速緩沖SRAM或DRAM存儲器（見圖2）實力增強。

   
鐵電原理也具有無限的耐力宣講手段。例如cypress半導(dǎo)體公司的Excelon-Auto FRAM存儲設(shè)備的額定寫入周期為100萬億次重要工具。這足以使其在20年內(nèi)每10 µs記錄一次數(shù)據(jù)，而無需使用復(fù)雜的磨損均衡軟件配套設備。
 
有效的汽車EDR實施將配對具有2 Mb或4 Mb密度的無限耐久性FRAM器件和高密度閃存更優質。存儲器通常將配置為連續(xù)存儲最新的1到5 s的數(shù)據(jù)相對開放，而閃存陣列用于批量存儲較舊的數(shù)據(jù)。對于Excelon-Auto設(shè)備脫穎而出，有一個串行外圍設(shè)備接口拓展應用，它使用標(biāo)準(zhǔn)的非易失性命令進(jìn)行配置以及讀寫操作。cypress代理商可提供相關(guān)產(chǎn)品技術(shù)支持結構。

 

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