異步SRAM存儲器應(yīng)用領(lǐng)域
2020-08-19 09:51:30
CYPRESS的異步SRAM產(chǎn)品包含業(yè)界最多樣的異步低功耗SRAM產(chǎn)品組合相對簡便,密度范圍從64Kb至64Mb。MoBL SRAM提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)電壓、總線寬度及封裝選項(xiàng)開放要求。 此裝置提供領(lǐng)先業(yè)界的待機(jī)功率消耗(最大)規(guī)格堅定不移。MoBL異步SRAM是各種應(yīng)用中電池供電解決方案的理想選擇提供了有力支撐。MoBL SRAM裝置適用于工業(yè)方便、汽車及輻射硬化溫度等級方案。
帶有ECC的異步SRAM適用于各種要求最高可靠性和性能標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)空間廣闊,醫(yī)療至關重要,商業(yè),汽車和軍事應(yīng)用服務品質〉陌l生?焖賁RAM是諸如交換機(jī)和路由器組成部分,IP電話,測試設(shè)備和汽車電子產(chǎn)品之類的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇新的動力。MoBL®SRAM用于PLC的過程中,多功能打印機(jī)和可植入醫(yī)療設(shè)備等一系列應(yīng)用領(lǐng)域的高性能,電池供電和電池供電的解決方案廣泛關註。
工業(yè)控制器
異步SRAM器件用于可編程邏輯控制器(PLC)設(shè)計(jì)中促進進步,以備份需要通過斷電保護(hù)的關(guān)鍵工具位置和操作數(shù)據(jù)。備用電源由電池或超級電容器提供優勢領先。
工業(yè)控制器的關(guān)鍵要求是降低功耗和降低軟錯(cuò)誤率迎來新的篇章。在工業(yè)控制器中,軟錯(cuò)誤會由于設(shè)置信息損壞而導(dǎo)致啟動時(shí)出現(xiàn)故障改善,從而導(dǎo)致系統(tǒng)故障空白區。
聯(lián)網(wǎng)
路由器設(shè)計(jì)在電池后備配置中使用SRAM,以永久存儲啟動配置信息化。該數(shù)據(jù)是用戶可修改的形勢,對于設(shè)備的正常運(yùn)行至關(guān)重要。SRAM還用于永久存儲LAN接口的硬件修訂版取得明顯成效,標(biāo)識信息和媒體訪問控制(MAC)地址約定管轄。不可恢復(fù)的軟錯(cuò)誤會對網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的流量目標(biāo)等造成嚴(yán)重破壞。
下圖所示的示意圖中顯示了一種常用配置創新的技術,該圖顯示了MoBL®SRAM如何在具有Supervisory芯片的電池供電配置中使用發揮。
多功能打印機(jī)
多功能打印機(jī)(MFP)是MoBL®SRAM器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域。多種數(shù)據(jù)永久或臨時(shí)存儲在MFP內(nèi)存中快速增長。硬盤驅(qū)動器(HDD)或閃存驅(qū)動器存儲各種類型的用戶信息開放以來,而用戶工具設(shè)置,網(wǎng)絡(luò)設(shè)置和配置數(shù)據(jù)則存儲在專用的MoBL®SRAM中高質量。SRAM還用于作業(yè)狀態(tài)和字體表綜合運用。數(shù)據(jù)對于設(shè)備的運(yùn)行至關(guān)重要,并通過電池的電源循環(huán)進(jìn)行保護(hù)的方法。因此實事求是,MFP設(shè)計(jì)需要具有高可靠性和低錯(cuò)誤率的
SRAM。
CYPRESS異步SRAM
Density |
Org. |
Part number |
Speed (ns) |
Max. Operating VCCQ (V) |
Max. Operating Voltage (V) |
Min. Operating VCCQ (V) |
Min. Operating Voltage (V) |
Package |
8Mb |
x8 / x16 |
CY62155E-3XWI |
-- |
5.5 |
5.5 |
1.65 |
1.65 |
Wafer |
8Mb |
1M x 8 |
CY7C1059DV33-10ZSXI |
10 |
3.6 |
3.6 |
3 |
3 |
TSOP II |
8Mb |
1M x 8 |
CY7C1059DV33-10ZSXIT |
10 |
3.6 |
3.6 |
3 |
3 |
TSOP II |
8Mb |
512K x 16 |
CY7C1051DV33-12ZSXIT |
12 |
3.6 |
3.6 |
3 |
3 |
TSOP II |
8Mb |
512K x 16 |
CY7C1051DV33-10ZSXIT |
10 |
3.6 |
3.6 |
3 |
3 |
TSOP II |
8Mb |
512K x 16 |
CY7C1051DV33-12ZSXI |
12 |
3.6 |
3.6 |
3 |
3 |
TSOP II |
8Mb |
512K x 16 |
CY7C1051DV33-10BAXIT |
10 |
3.6 |
3.6 |
3 |
3 |
FBGA |
8Mb |
512K x 16 |
CY7C1051DV33-10BAXI |
10 |
3.6 |
3.6 |
3 |
3 |
FBGA |
8Mb |
512K x 16 |
CY7C1051DV33-10ZSXI |
10 |
3.6 |
3.6 |
3 |
3 |
TSOP II |
本文關(guān)鍵詞: 異步SRAM
上一篇文章:非易失性存儲器MRAM與FRAM的比較
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