經(jīng)過幾十年的發(fā)展和進步綠色化，電子產(chǎn)業(yè)差不多形成了一個線性系統(tǒng)有效性，并被摩爾定律(Moore's Law)所支配邁出了重要的一步。然而隨著摩爾定律漸漸地出現(xiàn)松動的情況，許多新技術(shù)逐漸開始浮上臺面形式。這些技術(shù)并不是單純的技術(shù)改進活動上，而是全面的變革。電子產(chǎn)業(yè)可借機利用這些新技術(shù)轉(zhuǎn)型成為非線性系統(tǒng)範圍，推翻多年來電子產(chǎn)業(yè)所設(shè)立的宗旨求得平衡。

       
Semiconductor Engineering網(wǎng)站報導(dǎo)指出，存儲器技術(shù)近年的高速發(fā)展空間廣闊，可能會因此改變存儲器與處理技術(shù)在早在1940年代便已確立的關(guān)系至關重要。連續(xù)存儲器配置的效率盡管在這些年里不斷受到挑戰(zhàn)和質(zhì)疑，但系統(tǒng)的惰性使得這種配置得以維持不變幾十年服務品質。

     
即使在對稱多處理系統(tǒng)中的發生，存儲器的配置大部分還是連續(xù)空間，資料從存儲器到達處理器的途中集成，時常會卡在資料匯流排的位置重要手段，這是因為存儲器與處理元件距離相距太遠。實際上穩定性，目前架構(gòu)中處理與存儲器的速度與功率分布差距越來越大研究與應用，并影響了芯片外的資料傳輸速度。

     
于是Rambus利用DDR介面的類比結(jié)構(gòu)將存儲器與邏輯連結(jié)更高效，加速資訊傳送并將消息轉(zhuǎn)換回邏輯全面協議，不過這必須建立在存儲器與邏輯為兩個獨立單位的前提下。只要將存儲器放在邏輯之上具體而言，就能用幾百萬條線路連接存儲器與邏輯工具，改變整個原有的架構(gòu)。

       
垂直化的芯片結(jié)構(gòu)越來越受到矚目喜愛。傳統(tǒng)芯片間中介層(inter-chip interposer)重要的角色、打線的堆疊，以及矽穿孔(Through Silicon Via向好態勢；TSV)連接平臺建設，已逐漸成為主流。各種MEMS貢獻力量、RF使用、存儲器、邏輯等技術(shù)發行速度，也能用更具成本效益的方式整合更加堅強。

         
但是3D存儲器不僅僅是芯片堆疊。3D存儲器架構(gòu)還能一起處理多層資料性能。三星電子(Samsung Electronics)與東芝(Toshiba)便一路快速地從24層存儲器發(fā)展到48層初步建立。然而這并不能說明矽穿孔完全失去了價值。矽穿孔仍能有效減少I/O功率，提供更高的存儲器密度的方法。

       
3D堆疊架構(gòu)難免會產(chǎn)生功率與熱能的疑慮實事求是，還好存儲器并沒有太高的功率需求，只有在讀寫時才會消耗電力落到實處。

SRAM與DRAM好久前便終止了微縮的發(fā)展服務水平，ReRAM、自旋(spin torque)產品和服務、相變(phase change應用擴展、交叉點(cross point)等新的存儲器技術(shù)紛繁呈現(xiàn)。這些新技術(shù)的共同點多樣性，便是材料科學(xué)與物理學(xué)上的突破發揮效力。

       
但是存儲器與處理器間的溝通延遲的難題，已困擾電子產(chǎn)業(yè)30多年明顯，并非上述新技術(shù)能夠徹底解決安全鏈，最多只縮短中間的差距。

       
此外創新為先，存儲器技術(shù)與電晶體脫勾后真正做到，便可成為后段制程(BEOL)存儲器，編碼與感應(yīng)放大器都可置于存儲器陣列下創新延展，與SRAM相比能省下不少空間強化意識。未來的系統(tǒng)單芯片(SoC)，可能不再需要使用SRAM基本情況。     

本文關(guān)鍵詞：SRAM  DRAM   存儲器          相關(guān)文章：可替代閃存的存儲新技術(shù)（二）

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