各種同步型SRAM比較 （二）
2017-08-21 15:06:24
四倍數(shù)據(jù)速率（QDRTM）型SRAM： 盡管推出了NoBL型架構(gòu)并使性能較之標準同步型SRAM有所改善，但某些系統(tǒng)對性能有著更高的要求集中展示。于是大數據，賽普拉斯相關性、Renesas探索、IDT進一步推進、NEC和三星等幾家公司聯(lián)合開發(fā)出了QDR型SRAM全面闡釋。QDR架構(gòu)旨在滿足那些要求低延遲且所需帶寬明顯高于NoBL型架構(gòu)提供能力的“高帶寬需求型”系統(tǒng)的需要重要方式。 QDR型SRAM與NoBL型SRAM最為顯著的差異之一是前者的讀端口和寫端口是分開的。這些端口可獨立工作持續創新，并支持并行的讀和寫事務處理工具。QDR型 SRAM能夠以DDR傳輸速率（2倍）來支持兩項同時出現(xiàn)的事務處理，四倍數(shù)據(jù)速率（QDR）的名稱便是由此得來的。 QDR型SRAM具有兩種基本類型：即2字脈沖串和4字脈沖串重要的角色。這兩種類型之間的差異在于每項事務處理過程中所支持的脈沖串長度開放要求。
QDR-II型SRAM：QDR- II型SRAM與QDR型SRAM相似，但在性能方面進一步提升優勢領先。與相同頻率的QDR型器件相比迎來新的篇章，QDR-II型SRAM所產(chǎn)生的總數(shù)據(jù)有效窗口面積大了 35[%]左右共創美好。另外推動並實現，QDR-II型SRAM產(chǎn)品還比QDR型器件多了一個半延遲周期。這增加的半個時鐘周期可在對初始延遲影響極小的情況下提供高得多的頻率和帶寬覆蓋範圍。
DDR型SRAM ：如果QDR型SRAM面向的是具有平衡讀/寫模式的應用優化程度，DDR型SRAM架構(gòu)則主要針對那些需要進行數(shù)據(jù)流式傳輸（例如，后隨多項寫操作的多項讀操作）奮勇向前、且所需帶寬遠遠高于標準同步型器件或NoBL型器件的應用不斷豐富。DDR型SRAM具有出眾的整體總線利用率以及高得多的總帶寬，性能也因此得到了最大限度的提升組建。
和QDR型SRAM一樣各有優勢，DDR型SRAM也有兩種格式：即2字脈沖串和4字脈沖串。究竟選擇哪一種取決于所需的數(shù)據(jù)顆粒度以及存儲器的數(shù)據(jù)總線寬度重要的意義。
本文關(guān)鍵詞：DDR型
SRAM QDR-II型SRAM 四倍數(shù)據(jù)速率（QDRTM）型SRAM
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