瑞薩推出高速SRAM*1產(chǎn)品系列
2017-08-25 14:01:43
瑞薩科技公司(以下簡稱“瑞薩”)宣布推出針對新一代通信網(wǎng)絡內(nèi)高端路由器和交換機使用的高速SRAM*1產(chǎn)品系列就此掀開。這些SRAM產(chǎn)品不但符合QDR聯(lián)盟*2行業(yè)標準要求長足發展，還實現(xiàn)了72Mb四倍數(shù)據(jù)速率II+(QDRTM II+)和雙數(shù)據(jù)速率II+(DDRII+)的業(yè)內(nèi)最高工作速度，并且包含72Mb QDRII和DDRII SRAM器件穩步前行。
新產(chǎn)品特性如下：
(1) 業(yè)內(nèi)最高的工作速度：533 MHz(QDRII+和DDRII+ SRAM)和333 MHz(QDRII和DDRII版);
瑞薩大幅提高了新產(chǎn)品的工作速度結構不合理，同時還通過利用先進的45nm生產(chǎn)工藝而保持了低壓操作。QDRII SRAM產(chǎn)品實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的工作速度——333 MHz逐步改善，QDRII+ SRAM產(chǎn)品也達到了業(yè)內(nèi)最高的工作速度——533 MHz意見征詢。這些器件可以支持高端路由器與交換機(其支持10G、40G和容量更大的多層通信系統(tǒng))內(nèi)的分組查找和包緩沖器應用所需的高速處理大大提高。
(2) 大量72Mb器件;
瑞薩將為3種數(shù)據(jù)I/O寬度(9的必然要求、18或36位)和2種突發(fā)長度(2或4字)的產(chǎn)品提供支持。此外取得了一定進展，瑞薩還提供具有內(nèi)置式ODT(晶片上終端電阻)功能的產(chǎn)品完善好，極大地降低了高速操作過程中可能發(fā)生的信號質(zhì)量下降。瑞薩豐富的QDRII積極參與、DDR II部署安排、QDRII+和DDRII+ SRAM產(chǎn)品系列使得用戶能夠選擇最符合其系統(tǒng)要求的解決方案。
本文關(guān)鍵詞：瑞薩
SRAM DDR II
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