圖1顯示了一個典型POS終端設(shè)計的框圖重要作用，為了滿足智能POS終端的要求奮戰不懈，存儲器應(yīng)提供最高的可靠性和足夠的帶寬追求卓越。不僅如此集中展示，為了滿足便攜要求，存儲器還必須具備低功耗大大提高、小尺寸的特點的必然要求。

 

過去，存儲器的發(fā)展一直試圖結(jié)合快速的存取速度取得了一定進展、低功耗和小尺寸特性完善好。但是，隨著Octi-SPI積極參與、HyperBus™等新一代低引腳數(shù)接口的問世問題分析，現(xiàn)在出現(xiàn)了能夠媲美甚至超過快速存取式存儲器的帶寬，同時匹敵低功耗存儲器的功耗交流研討，并使用最低數(shù)量的微控制器引腳的存儲器更加完善。從微控制器傳承到SRAM等存儲器的另一項創(chuàng)新技術(shù)就是引入了深度睡眠模式。例如相對較高，賽普拉斯的PowerSnooze™ SRAM就是一種深度睡眠能效媲美Micropower SRAM的Fast SRAM資源配置。

 

 

圖1. 這是現(xiàn)代POS終端的框圖信息。所使用的存儲器包括閃存相關、SRAM、DRAM和SD/MMC插槽。

 

讓我們比較一下兩種常用SRAM－Fast和Micropower生產效率，以及具備深度睡眠模式的Fast SRAM的功耗和存取時間產能提升。

 

 

通過結(jié)合快速存取和深度睡眠特性，這些存儲器能夠媲美SRAM的速度和低功耗SRAM的能效節點。在SRAM在大多數(shù)時間處于待機狀態(tài)的應(yīng)用中通過活化，這種結(jié)合的優(yōu)勢更加顯著。

 

在使用SRAM記錄配置數(shù)據(jù)的一個典型POS終端中的特點，SRAM的運行時間只占總工作時間的20%健康發展。如果這個SRAM是工作電壓為3.3V的Fast SRAM，它工作時將消耗120瓦時（WH）的電能大數據，待機時將消耗80 WH的電能長效機製，總能耗為200 WH。如果是一個具備深度睡眠模式的Fast SRAM數字技術，工作時仍消耗120 WH的電能奮戰不懈，但待機時能耗降至0.06 WH，因此總能耗約為121 WH知識和技能。在這個具體的例子中取得顯著成效，深度睡眠選項將能耗降低了40%。

 

對于一顆240mAH的板載紐扣電池而言實現，一個處于待機狀態(tài)的16Mb Fast SRAM將能讓電池續(xù)航超過12小時供給，而一個處于待機狀態(tài)的低功耗SRAM將能讓電池續(xù)航超過3年，但后者的局限是存儲速度較慢規模。此時長足發展，一個具備深度睡眠模式的Fast SRAM與低功耗SRAM相比優(yōu)勢顯著，其帶寬是后者的4倍多（即10ns存取時間vs. 45ns存取時間）問題，而且沒有功耗代價逐漸顯現。盡管如此，無論是MCU或SRAM系統穩定性，使用深度睡眠模式時應(yīng)考慮一個因素：進入和退出深度睡眠模式的時間拓展基地。如果兩個工作周期之間的時間間隔與SRAM進入或退出深度睡眠模式所用時間相比太短，那么這種方法將會無用實力增強。例如體系流動性，對于賽普拉斯出品的具備深度睡眠模式的Fast SRAM而言，這個時間間隔是300 µs（最大）帶來全新智能。這可能是推廣具備深度睡眠模式的Fast SRAM的最大障礙實現了超越。

 

存儲器領(lǐng)域的另一個有趣趨勢是：隨著閃存變得越來越快，對高速緩存的需求正在發(fā)生改變去完善。很多需要RAM的微控制器工藝現(xiàn)在可以利用XIP（Execute In Place）在閃存上實現(xiàn)橋梁作用。這意味著RAM越來越多被用于擴展內(nèi)存或電池系統(tǒng)備份。與此同時，已被運用于這兩種應(yīng)用的SRAM正在增加容量選擇讓人糾結。換句話說規模，傳統(tǒng)上首選的DRAM正變得越來越不重要，因為就像容量更大基石之一、速度更快聯動、功耗更低的閃存可以滿足大型存儲的需求那樣，容量更高共同努力、功耗更低行業內卷、尺寸更小的SRAM也可以滿足小型存儲的需求。

本文關(guān)鍵詞：SRAM   Fast SRAM   DRAM
 
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