串行接口

串行接口存儲器的產(chǎn)品陣容有16Kbit至4Mbit的SPI接口產(chǎn)品應用提升，以及4Kbit至1Mbit的I2C接口產(chǎn)品創造性。電源電壓除主要的3.3V工作產(chǎn)品外，正在擴充1.8V工作產(chǎn)品規模設備。封裝除能夠與EEPROM及串行閃存兼容的SOP外，還提供可穿戴設(shè)備用SON（Small Outline Non-leadedpackage）及WL-CSP（Wafer Level Chip Size Package）等超小型封裝產(chǎn)品競爭力。

                                 
 

與其他非易失性存儲器相比，串行接口存儲器最大的優(yōu)勢是寫入快集聚、讀寫耐久性高、功耗低狀況。

 

                

*1 ：當工作溫度低于+85℃時，數(shù)據(jù)保持時間可以延長全過程，詳細請參考數(shù)據(jù)手冊。


              

*1 ：當工作溫度低于+85℃時效果，數(shù)據(jù)保持時間可以延長，詳細請參考數(shù)據(jù)手冊可持續。

*2 ：滿足SPI以及Quad SPI接口

*3 ：高速讀取模式時，可實現(xiàn)最大40MHz操作構建。

*4 ：有二進制計數(shù)器功能

*5 ：雙SPI模式時，可實現(xiàn)最大7.5MHz操作共創輝煌。

 

并行接口存儲器

并行接口存儲器為采用TSOP或SOP封裝的256Kbit至4Mbit的產(chǎn)品具有重要意義，工作時的電源電壓為3.3V大部分，但MB85R4M2T能夠在1.8V-3.6V的大范圍內(nèi)進行工作強大的功能。封裝方式為能夠與SRAM兼容的TSOP或SOP解決方案。

                    

在SRAM及使用數(shù)據(jù)保持電池的應(yīng)用中，并行接口存儲器被作為進一步降低能耗或減少電池的解決方案增產。

                  

*1 ：當工作溫度低于+55℃或+85℃時便利性，數(shù)據(jù)保持時間可以延長，詳細請參考數(shù)據(jù)手冊行動力。

 

未來富士通還將通過技術(shù)來發(fā)來提高一些技術(shù)規(guī)格提供有力支撐，如工作電壓和存取速度，并提供多種產(chǎn)品保供。富士通半導(dǎo)體能夠利用其它公司不能提供的富士通獨有技術(shù)自行開發，提供廣泛的單獨FRAM產(chǎn)品。

本文關(guān)鍵詞：FRAM存儲器  SPI接口
 
相關(guān)文章：MRAM和RRAM備受行業(yè)關(guān)注

---

深圳市英尚微電子有限公司責任，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲器芯片IC, SRAM品質、MRAM、pSRAM深入各系統、 FLASH芯片解決問題、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。