MRAM耐擦寫周期試驗(yàn)
2017-09-15 14:28:36
MRAM MR2A16A位耐擦寫周期研究的目的是確定MRAM位元是否具有耐擦寫限制講故事。該研究試驗(yàn)還包括通過(guò)存儲(chǔ)器的重復(fù)使用是否對(duì)軟誤差率(SER)具有負(fù)面影響。寫周期試驗(yàn)是在高溫系統(tǒng)中進(jìn)行的長效機製，許多單元可以同時(shí)運(yùn)行完善好。功能測(cè)試和軟誤差率數(shù)據(jù)的收集在ATE上完成空白區。
該設(shè)備在4MHz(250ns)和90℃條件下運(yùn)行體製。MR2A16A的最高頻率是28.5MHz(35ns)建設。商用產(chǎn)品的最高環(huán)境溫度要求是70℃貢獻。經(jīng)計(jì)算新的力量，如果將4MHz上運(yùn)行的器件的工作頻率增加到28.5MHz先進水平，MR2A16A結(jié)溫將升高20℃便利性。因此，盡管最高溫度要求是70℃重要平臺，而實(shí)際上卻在90℃溫度下進(jìn)行該項(xiàng)研究深刻認識。
寫周期、功能測(cè)試和SER數(shù)據(jù)收集都是在最壞額定電壓和溫度工作條件下進(jìn)行的應用提升。此時(shí)主動性，研究結(jié)果顯示，試驗(yàn)單元經(jīng)過(guò)58萬(wàn)億次擦寫周期而沒有出現(xiàn)任何故障發展的關鍵。目前研究還在繼續(xù)進(jìn)行道路，目的是為了驗(yàn)證所獲取的MR2A16A 1T1MTJ位單元寫周期數(shù)據(jù)的普遍性。
本文關(guān)鍵詞：
MRAM
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