嵌入式快閃存儲器(eFlash)一直是目前大眾普遍使用的嵌入式存儲器互動互補，但因應(yīng)市場需求存在多種新興的存儲器選擇發揮重要帶動作用。除了eMRAM以外，還有嵌入式電阻RAM(eRRAM)意料之外、相變存儲器(PCM)文化價值、碳納米管(CNT)和鐵電場效電晶體(FeFET)等。Eggleston指出置之不顧，無論是哪一種選擇不斷完善，都必須在數(shù)據(jù)保存、效率與速度方面權(quán)衡選擇方便。CNT和FeFET都展現(xiàn)出了巨大的發(fā)展?jié)摿A上，但目前還不夠成熟，而PCM則適用于特定應(yīng)用傳遞，而無法廣泛用于嵌入式應(yīng)用融合。

　　
Eggleston說：“MRAM和RRAM具有類似的功能，二者都是后段校準(zhǔn)的存儲器更加廣闊，因而能更易于落實于邏輯制程中規劃。”可用的制程技術(shù)包括需要大型芯片、FD-SOI或FinFET的制程可以使用。他并表示進入當下，eFlash可內(nèi)建于芯片之中，但如果要建置于各種不同的技術(shù)中將更具挑戰(zhàn)性效高化。

　　
Eggleston說新體系，RRAM的堆疊更簡單，因為在電極之間所需的材料較少創造。他說：“而且它并不需要像MRAM一樣的設(shè)備投資不難發現。MRAM由于堆疊較復(fù)雜，確實需要一些資本設(shè)備投資設備製造。”然而發展需要，他指出，RRAM無法提供滿足更廣泛市場所要求的數(shù)據(jù)保存管理、速度以及耐用度等能力顯示。

　　
Eggleston說雙向互動，MRAM較RRAM出色之處在于其多功能性，因為它的材料組成可在電極之間加以調(diào)整設計能力。“你可以為其進行調(diào)整品牌，使其具有更好的數(shù)據(jù)保存能力，或是支援更快的寫入速度與耐用性更為一致。”他并補充說等形式，這種可調(diào)整的能力讓Globalfoundries能在先進節(jié)點跨足eFlash的領(lǐng)域，也可以調(diào)整其速度研究與應用，使其得以作為非揮發(fā)性快取飛躍，用于服器處理器與儲存控制器中。

 

 

本文關(guān)鍵詞：MRAM

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