晶圓代工四強近況如何確定性？
2017-09-20 14:28:31
在英特爾宣布正式進入ARM芯片代工市場全技術方案，并為展訊代工了14nm八核X86架構(gòu)的64位LTE芯片平臺SC9861G-IA后積極參與，另一IDM模式巨擘三星于日前宣布將建立一個獨立的代工或合同芯片制造業(yè)務(wù)部門信息化，增強代工業(yè)務(wù)預期。全球排名前兩位的半導(dǎo)體廠商對晶圓代工市場展現(xiàn)出了巨大的興趣宣講活動，那么格羅方德切實把製度、臺積電全方位、聯(lián)電及中芯國際等純晶圓代工市場上的四大巨頭又在做什么呢高效節能？
臺積電
在晶圓代工范疇，臺積電是名副其實的龍頭老大，也是英特爾和三星在代工市場上最強勁的對手核心技術。除了10nm制程工藝用于今年iPhone 8的A11芯片外應用提升，前段時間有報道稱，臺積電目前已經(jīng)在測試尖端7nm芯片產(chǎn)品創造性，并且會在2018年量產(chǎn)發展的關鍵，并將在一年后再投產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)加持的新版7nm。而臺積電5nm將會在2019年試產(chǎn)規模設備，主打移動設(shè)備和高性能計算真諦所在。
在臺積電技術(shù)論壇上，臺積電首次透露了研發(fā)多年的eRRAM（嵌入式電阻式內(nèi)存）和eMRAM（嵌入式磁阻式隨機存取內(nèi)存）將分別在明后年進行風(fēng)險性試產(chǎn)競爭力，主要采用22nm制程充分。
格羅方德
在三星和臺積電就10nm制程工藝拼個你死我活的時候，格羅方德卻毅然決定跳過10nm直攻7nm制程廣泛應用。雖然沒有對10nm“出手”關註度，但格羅方德在去年推出了12nm FD-SOI工藝， 與16nm FinFET工藝對比哪些領域，12nm制程能夠?qū)⒐慕档?0%敢於挑戰，性能提升15%，掩膜成本較10nm降低40%建立和完善。不過根據(jù)早前格羅方德透露的信息提供了遵循，全新的12nm FD-SOI工藝在2019年才能投入量產(chǎn)。
雖然制程工藝進步的腳步趕不上臺積電大型，但近日一則關(guān)于全球首款5nm芯片的消息中服務效率，卻出現(xiàn)了格羅方德的身影。IBM日前宣布重要意義，與三星統籌發展、格羅方德組成的聯(lián)盟已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一個全新的硅納米片晶體管，為實現(xiàn)5nm工藝奠定了基礎(chǔ)構建。
此外創新科技，格羅方德與成都市合作成立的合資公司格芯已經(jīng)展開建設(shè)工作，預(yù)計將于2018年年初竣工共創輝煌。完工后具有重要意義，該晶圓廠將率先投入主流工藝的生產(chǎn)，進而專注于22FDX的制造大部分，預(yù)計將于2019年開始實現(xiàn)量產(chǎn)強大的功能。
聯(lián)電
聯(lián)電雖然貴為臺灣晶圓代工雙雄，但在晶圓代工市場上遠不如臺積電活躍解決方案。今年年初時優勢，公司宣布了其自主研發(fā)的14nm FinFET工藝善謀新篇，已成功進入客戶芯片量產(chǎn)階段，并且良率已達先進制程的業(yè)界競爭水準(zhǔn)便利性。在成功量產(chǎn)14nm后方法，聯(lián)電也啟動了廈門子公司聯(lián)芯的28nm制程量產(chǎn)計劃，目標(biāo)為大陸快速成長的中低端手機芯片市場提供有力支撐。
中芯國際
中芯國際作為大陸晶圓代工一哥切實把製度，已經(jīng)開始量產(chǎn)28nm PolySiON工藝，而對于更高級并將扮演更重要角色的28nm HKMG自行開發，中芯國際曾透露進行部署，對于HKMG平臺，今年將積極導(dǎo)入設(shè)備與試產(chǎn)自動化裝置，最快第三季準(zhǔn)備好產(chǎn)能示範，預(yù)期今年“會持續(xù)成長，但貢獻度有限”有很大提升空間。
新任CEO趙海軍也表示過運行好，中芯將陸續(xù)投入28nm新平臺與14nm研發(fā)的推進，預(yù)計2019年14nm投入試產(chǎn)可能性更大。
另外統籌推進，中芯國際也開始啟動了7nm制程工藝的研發(fā)，并與北方華創(chuàng)關鍵技術、中微建立了長期合作關(guān)系。
本文關(guān)鍵詞：
存儲芯片
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