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主頁 ? 產(chǎn)品中心 ? Flash ? Nand Flash ? ISSI ?
        Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種關註度,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式對外開放,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案技術特點。Nand-flash存儲器具有容量較大發展機遇,改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)生產效率,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用全面闡釋,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)重要方式、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等持續創新。
ISSIISSI 是Integrated Silicon Solution, Inc.縮寫改善。1988年成立,專門設(shè)計合理需求、開發(fā)是目前主流、銷售高性能存儲SRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品,用于Internet存儲器件高質量、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備充分發揮、遠(yuǎn)程通訊和移動通訊設(shè)備、計算機(jī)外設(shè)等管理。
      公司的客戶都是一些電子工業(yè)巨頭設計,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是國際化大公司改進措施,公司總部設(shè)在美國加州Santa Clara就此掀開,在美國、歐洲擁有分公司今年,在臺灣有合資企業(yè)穩步前行,在中國香港設(shè)有子公司,銷售辦事處分布在美國動手能力、歐洲逐步改善、香港、中國提升、臺灣大大提高、日本。ISSI 用0.25微米工藝技術(shù)生產(chǎn)最新進(jìn)的SRAM產(chǎn)品研究成果,產(chǎn)品都是由代工服務(wù)商代為生產(chǎn)取得了一定進展,臺灣的TSMC、UMC大面積、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴積極參與。
Den Bus Width Part Number Vcc Ecc Requirement Squential Read Speed (ns) Temp.Range Package Type PDF下載
4Gb X8 IS34ML04G081 3.3V 1-bit 25 -40°C~85°C 48-TSOP 暫無
4Gb X8 IS34ML04G084 3.3V 4-bit 25 -40°C~85°C 48-TSOP 暫無
4Gb X8 IS34MW04G084 1.8V 4-bit 45 -40°C~85°C 48-TSOP 暫無
4Gb X16 IS34MW04G164 1.8V 4-bit 45 -40°C~85°C 48-TSOP 暫無
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