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主頁 ? 產(chǎn)品中心 ? SDRAM ? DDR3/4 SDRAM ? 32位 DDR4 SDRAM ?
DDR4是主流DRAM技術,其新功能集中在節(jié)能統籌推進,性能增強主動性,可制造性和可靠性方面重要的角色。 這些新功能提高了企業(yè),云高質量,超薄,平板電腦,汽車和嵌入式市場的性能規模,功耗,可制造性基石之一,可靠性和堆疊能力聯動。DDR4 SDRAM 8Gb x32器件提供了介于普通DDR4和HBM wide I/O之間俺的一個內(nèi)存覆蓋,是高帶寬共同努力、小容量行業內卷、小PCB尺寸的的內(nèi)存解決方案追求卓越。
 
 
1.      小容量、高帶寬內(nèi)存參與能力,比如1Gb/2Gb LPDDR4/DDR4 
2.      超級wide I/O內(nèi)存合理需求,提供比HBM/HMC更高帶寬的內(nèi)存
3.      多通道DRAM/SRAM-CAM w/TSW, 面向AI和高速數(shù)據(jù)通信

Capacity Organization Part Number Voltage Package Speed Temperature PDF下載
8Gb 256Mx32 UD408G5S1AFC-24D0 1.14V – 1.26V 144-ball FCBGA DDR4-2400 CL17-17-17 0℃ to +95 ℃ 暫無
8Gb 256Mx32 UD408G5S1AFC-29H0 1.14V – 1.26V 144-ball FCBGA DDR4-2933 CL21-21-21 0℃ to +95 ℃ 暫無
8Gb 256Mx32 UD408G5S1AFC-26F0 1.14V – 1.26V 144-ball FCBGA DDR4-2666 CL19-19-19 0℃ to +95 ℃ 暫無
8Gb 256Mx32 UD408G5S1AFC-32J0 1.14V – 1.26V 144-ball FCBGA DDR4-3200 CL22-22-22 0℃ to +95 ℃ 暫無
8Gb 256Mx32 UD408G5S1AFI-24D0 1.14V – 1.26V 144-ball FCBGA DDR4-2400 CL17-17-17 -40℃ to +95℃ 暫無
8Gb 256Mx32 UD408G5S1AFI-29H0 1.14V – 1.26V 144-ball FCBGA DDR4-2933 CL21-21-21 -40℃ to +95℃ 暫無
8Gb 256Mx32 UD408G5S1AFI-26F0 1.14V – 1.26V 144-ball FCBGA DDR4-2666 CL19-19-19 -40℃ to +95℃ 暫無
8Gb 256Mx32 UD408G5S1AFI-32J0 1.14V – 1.26V 144-ball FCBGA DDR4-3200 CL22-22-22 -40℃ to +95℃ 暫無
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