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everspinEverspin MRAM是一種具有革命性的存儲(chǔ)器,其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)支撐作用,來提供不會(huì)產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性帶動擴大。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲(chǔ)信息,以在單一、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性持續創新。Everspin是從飛思卡爾半導(dǎo)體公司分離出來的一家獨(dú)立公司引人註目。2006年,Everspin推出業(yè)界第一款商業(yè)化MRAM產(chǎn)品共享應用。今日生產能力,Everspin MRAM已廣泛用在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、工業(yè)自動(dòng)化示範推廣、游戲堅持好、能源管理、通訊大幅增加、運(yùn)輸特性、和航空電子領(lǐng)域傳承。
Everspin的新xSPI產(chǎn)品系列基于擴(kuò)展的串行外設(shè)接口探討,這是用于非易失性存儲(chǔ)設(shè)備的最新JEDEC標(biāo)準(zhǔn)鍛造。它基于Everspin獨(dú)特的工業(yè)STT-MRAM技術(shù)。這些產(chǎn)品提供高性能基石之一、多I/O支撐作用、SPI兼容性日漸深入,并具有高速、低引腳數(shù)的SPI兼容總線接口綜合措施,時(shí)鐘頻率高達(dá)200MHz可靠保障。這些持久性內(nèi)存MRAM設(shè)備在單個(gè)1.8V電源上運(yùn)行,并通過八個(gè)I/O信號(hào)提供高達(dá)400MBps的讀取和寫入速度設計標準。開啟了通用存儲(chǔ)器應(yīng)用解決方案的新時(shí)代開展,取代了SRAM、BBSRAM發揮重要帶動作用、NVSRAM和NOR設(shè)備等產(chǎn)品意向,面向工業(yè)自動(dòng)化、過程控制文化價值、仿真形式、汽車和運(yùn)輸、游戲以及更廣泛的工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)不斷完善。
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