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X型隨機(jī)存儲(chǔ)器引領作用，是基于TLC DRAM（三態(tài) DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）專利技術(shù)而成的新型存儲(chǔ)器搖籃。不同于傳統(tǒng)的DRAM和SRAM, XRAM 具有以下幾個(gè)技術(shù)特點(diǎn)：

1設施、數(shù)據(jù)讀取速率快于DRAM產(chǎn)品10倍積極性，延時(shí)只有10ns左右；

2、容量覆蓋Megabit到Gigabit；

3、可以節(jié)省40%左右的存儲(chǔ)陣列功耗指導；

4、從用戶端不需要考慮刷新機(jī)制國際要求，可以隨時(shí)訪問流動性。

XM7A系列產(chǎn)品采用同步SRAM接口并結(jié)合獨(dú)有的XRAM免刷新專利技術(shù)，在大容量競爭激烈、高速性能和高可靠性方面完全可以匹敵同類SRAM持續創新，同時(shí)具有較低功耗和更低的成本，并且與所有同類型SRAM產(chǎn)品硬件完全兼容空白區，可以滿足各種應(yīng)用系統(tǒng)對(duì)高性能和低成本的要求協調機製，XM7A系列產(chǎn)品也可以當(dāng)做同步SRAM使用，稱為新型國(guó)產(chǎn)SRAM芯片也不為過形勢。

Density	PartNumber	Vdd	VddQ	Speed(MHz)	Tco	BW bit	PackageType	Status	PDF下載
72Mb	XM7A04M18V33A	3.3/2.5V	3.3/2.5V	133/166	4.5ns	X18/36	LQFP100/BGA165	MP	暫無
72Mb	XM7A02M36V33A	3.3/2.5V	3.3/2.5V	133/166	4.5ns	X18/36	LQFP100/BGA165	MP	暫無
36Mb	XM7A02M18V33A	3.3/2.5V	3.3/2.5V	133/166	4.5ns	X18/36	LQFP100/BGA165	MP	暫無
36Mb	XM7A01M36V33A	3.3/2.5V	3.3/2.5V	133/166	4.5ns	X18/36	LQFP100/BGA165	MP	暫無
18Mb	XM7A01M18V33A	3.3/2.5V	3.3/2.5V	133/166	4.5ns	X18/36	LQFP100/BGA165	MP	暫無
18Mb	XM7A51236V33A	3.3/2.5V	3.3/2.5V	133/166	4.5ns	X18/36	LQFP100/BGA165	MP	暫無
9Mb	XM7A51218V33A	3.3/2.5V	3.3/2.5V	133/166	4.5ns	X18/36	LQFP100/BGA165	MP	暫無
9Mb	XM7A25636V33A	3.3/2.5V	3.3/2.5V	133/166	4.5ns	X18/36	LQFP100/BGA165	MP	暫無

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SRAM存儲(chǔ)芯片首選英尚微電子?2016深圳市英尚微電子有限公司|英尚國(guó)際有限公司粵ICP備16037113號(hào)

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