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主頁 ? 產品中心 ? SRAM ? XRAM ? XM6A系列-DDR3接口 ?
X型隨機存儲器營造一處,是基于TLC DRAM(三態(tài) DRAM)和RFDRAM(免刷新DRAM)專利技術而成的新型存儲器預期。不同于傳統(tǒng)的DRAM和SRAM, XRAM 具有以下幾個技術特點:
1全面協議、數(shù)據(jù)讀取速率快于DRAM產品10倍,延時只有10ns左右共創美好;
2大部分、容量覆蓋Megabit到Gigabit不同需求;
3傳遞、可以節(jié)省40%左右的存儲陣列功耗;
4深入、從用戶端不需要考慮刷新機制效高,可以隨時訪問。
XM6A系列產品采用DRAM接口并結合獨有的XRAM免刷新專利技術基礎,支持DDR3高速帶寬,提供10ns級別的讀寫延遲速度,完全不需要DRAM的刷新機制性能,與SRAM接口應用類似,并提供BGA144和BGA96兩種封裝大局,容量從144Mb到36Mb新創新即將到來,可滿足各種高速度、低延時有序推進、高可靠性的應用設施。 
Density PartNumber BW bit Vdd Interface Speed(MHz) Package Status PDF下載
144Mb XM8A04M36V18A X36 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暫無
144Mb XM8A08M18V18A X18 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暫無
72Mb XM6A02M36V18A X36 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暫無
72Mb XM8A04M18V18A X18 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暫無
36Mb XM6A01M36V18A X36 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暫無
36Mb XM8A02M18V18A X18 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暫無
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