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X型隨機存儲器營造一處，是基于TLC DRAM（三態(tài) DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）專利技術而成的新型存儲器預期。不同于傳統(tǒng)的DRAM和SRAM, XRAM 具有以下幾個技術特點：

1全面協議、數(shù)據(jù)讀取速率快于DRAM產品10倍，延時只有10ns左右共創美好；

2大部分、容量覆蓋Megabit到Gigabit不同需求；

3傳遞、可以節(jié)省40%左右的存儲陣列功耗；

4深入、從用戶端不需要考慮刷新機制效高，可以隨時訪問。

XM6A系列產品采用DRAM接口并結合獨有的XRAM免刷新專利技術基礎，支持DDR3高速帶寬,提供10ns級別的讀寫延遲速度,完全不需要DRAM的刷新機制性能，與SRAM接口應用類似，并提供BGA144和BGA96兩種封裝大局，容量從144Mb到36Mb新創新即將到來，可滿足各種高速度、低延時有序推進、高可靠性的應用設施。

Density	PartNumber	BW bit	Vdd	Interface	Speed(MHz)	Package	Status	PDF下載
144Mb	XM8A04M36V18A	X36	1.5/1.8V	Common I/O	400/533/600	BGA96/144	2Q19	暫無
144Mb	XM8A08M18V18A	X18	1.5/1.8V	Common I/O	400/533/600	BGA96/144	2Q19	暫無
72Mb	XM6A02M36V18A	X36	1.5/1.8V	Common I/O	400/533/600	BGA96/144	2Q19	暫無
72Mb	XM8A04M18V18A	X18	1.5/1.8V	Common I/O	400/533/600	BGA96/144	2Q19	暫無
36Mb	XM6A01M36V18A	X36	1.5/1.8V	Common I/O	400/533/600	BGA96/144	2Q19	暫無
36Mb	XM8A02M18V18A	X18	1.5/1.8V	Common I/O	400/533/600	BGA96/144	2Q19	暫無

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