目前主流的MRAM利用巨磁阻效應(yīng)( GMR）和磁性隧道結(jié)(MTJ)）的隧穿電阻效應(yīng)來(lái)進(jìn)行存儲(chǔ)。以MTJ為例,其元胞結(jié)構(gòu)包括自由層明確相關要求、隧道層和固定層3個(gè)層面（如圖1所示)設施。自由層的磁場(chǎng)極化方向是可以改變的,而固定層的磁場(chǎng)方向是固定不變的,在電場(chǎng)作用下電子會(huì)隧穿絕緣層勢(shì)壘而垂直穿過(guò)器件空間廣闊，電流可隧穿的程度及MTJ的電阻均由2個(gè)磁性層的相對(duì)磁化方向來(lái)確定3'規模最大。當(dāng)自由層的磁場(chǎng)方向與固定層的磁場(chǎng)方向相同時(shí),存儲(chǔ)單元呈現(xiàn)低阻態(tài)“0”;當(dāng)兩者磁場(chǎng)方向相反時(shí),存儲(chǔ)單元呈現(xiàn)高阻態(tài)“1”支撐能力。MRAM器件通過(guò)檢測(cè)存儲(chǔ)單元電阻的高低來(lái)判斷所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是“0”還是“1”能力和水平。
   
典型的存儲(chǔ)單元電路結(jié)構(gòu)如圖2所示不合理波動，一般是由1個(gè)NMOS管與MTJ單元集成在一起示範。NMOS管的柵極連接到存儲(chǔ)陣列的字線( word line,WL)﹐源（漏）極通過(guò)源極線( source line, SL)與MTJ的固定層相連;而連接到MTJ自由層上的連線為存儲(chǔ)陣列的位線( bit line, BL）應用前景。在位線和源極線之間施加不同的電壓,產(chǎn)生流過(guò)磁隧道結(jié)的寫(xiě)入電流(Iwrite）﹐Iwrite可改變磁隧道結(jié)自由層的磁化方向，使隧穿電阻變化,完成“0”和“1”的存儲(chǔ)運行好。MRAM電路的讀取機(jī)制是電流從位線流入首次，并通過(guò)MTJ和 MOS管輸出，電壓的大小同樣依賴于MTJ電阻的高低,相同讀取電流下所產(chǎn)生的輸出電壓不同。根據(jù)輸出電壓就可以判斷存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)是“0”還是“1”增幅最大。
1個(gè)MTJ和1個(gè)MOSFET（即1T1M）結(jié)構(gòu)構(gòu)成MRAM基本的存儲(chǔ)單元,眾多存儲(chǔ)單元又組成存儲(chǔ)陣列共享應用，一般的MRAM電路除存儲(chǔ)陣列之外還有相應(yīng)的外圍電路。如圖3所示的存儲(chǔ)器外圍電路主要包括靈敏放大器標準、譯碼電路示範推廣、讀/寫(xiě)控制電路等。與SRAM等存儲(chǔ)器類似,靈敏放大器主要用來(lái)對(duì)位線信號(hào)進(jìn)行放大大面積》e極參與？梢?jiàn)除了存儲(chǔ)陣列之外,外圍電路均可采用與傳統(tǒng)工藝兼容的CMOS電路進(jìn)行設(shè)計(jì)制造。
   
Everspin Technologies培養，Inc是設(shè)計(jì)制造MRAMSTT-MRAM的翹楚交流研討，其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性以及低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM被廣泛應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心形式，云存儲(chǔ)和能源建設應用，工業(yè)和汽車及運(yùn)輸市場(chǎng)等領(lǐng)域。Everspin總代理英尚微電子支持提供驅(qū)動(dòng)和例程以及產(chǎn)品應(yīng)用解決方案等日漸深入。
 
 
本文關(guān)鍵詞：MRAM  

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