在MRAM這類內存寫入時，組件的穿隧氧化層會承受的龐大電壓逐步改善，使得數(shù)據(jù)的保存、寫入耐久性逐漸完善，以及寫入速度三者往往不可兼得，必須有所權衡合理需求。這意味著即使STT MRAM技術已經(jīng)接近成熟是目前主流，其受到的限制仍讓它無法滿足高速RAM應用必須兼具高速寫入、無限耐久性高質量，以及可接受的數(shù)據(jù)保存能力之需求充分發揮。
 
STT-MRAM（也稱為STT-RAM或有時稱為ST-MRAM和ST-RAM）是一種高級類型的MRAM設備。與常規(guī)設備相比管理，STT-MRAM可實現(xiàn)更高的密度設計、低功耗和更低的成本。STT-MRAM相對于ToggleMRAM的主要優(yōu)勢是能夠擴展STT-MRAM芯片以更低的成本實現(xiàn)更高的密度改進措施。
 
STT-MRAM具有成為領先存儲技術的潛力就此掀開，因為它是一種高性能存儲器（可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM），可以遠低于10nm并挑戰(zhàn)閃存的低成本高產。
 
STT代表自旋轉移扭矩信息化技術。在STT-MRAM設備中，使用自旋極化電流翻轉電子的自旋良好。這種效果是在磁性隧道結(MTJ)或自旋閥中實現(xiàn)的逐步顯現，STT-MRAM器件使用STT隧道結(STT-MTJ)。通過使電流通過薄磁性層來產(chǎn)生自旋極化電流顯著。該電流然后被引導到更薄的磁性層快速增長，該磁性層將角動量轉移到改變其自旋的薄層。
 
Everspin的MRAM技術使用自旋扭矩轉移特性占，即通過極化電流操縱電子的自旋高質量，以建立所需的自由層磁狀態(tài)，以對存儲陣列中的位進行編程或寫入激發創作。與Toggle MRAM相比前景，自旋轉移扭矩MRAM或STT-MRAM顯著降低了開關能量，并且具有高度可擴展性增幅最大，可實現(xiàn)更高密度的存儲器產(chǎn)品共享應用。第三代MRAM技術使用垂直MTJ。開發(fā)了具有高垂直磁各向異性的材料和垂直MTJ堆棧設計標準，可提供長數(shù)據(jù)保留示範推廣、小單元尺寸、更大密度即將展開、高耐久性和低功率大幅增加。代理商英尚微電子支持提供產(chǎn)品應用方案及技術支持。


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