在所有不斷涌現(xiàn)的存儲(chǔ)器中，非易失性存儲(chǔ)器MRAM似乎最有可能被廣泛采用特性。而這種情況是否會(huì)很快發(fā)生，既取決于制造工藝的進(jìn)步發揮，也取決于支持分立和嵌入式MRAM器件技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)的改善。
 
目前MRAM是在單獨(dú)的晶圓廠作為“后端生產(chǎn)線”（BEOL）工藝來生產(chǎn)的快速增長，需要一些傳統(tǒng)CMOS制造工藝沒有使用的新設(shè)備長足發展，諸如離子束蝕刻和新的濺射靶之類。要想降低嵌入式MRAM產(chǎn)品的成本穩步前行，其制造就需要進(jìn)入CMOS晶圓廠，成為常規(guī)器件生產(chǎn)的一部分動手能力。
 
除了將MRAM進(jìn)一步納入制造鏈外逐步改善，它和其它半導(dǎo)體制造工藝一樣，質(zhì)量控制和產(chǎn)量提高將是持續(xù)的挑戰(zhàn)和機(jī)遇提升，而所有大型半導(dǎo)體代工廠都將MRAM內(nèi)存作為嵌入式產(chǎn)品的一個(gè)選項(xiàng)大大提高，這一點(diǎn)非常重要。通過將MRAM集成到其嵌入式產(chǎn)品中研究成果，并將MRAM作為常規(guī)器件引入大批量生產(chǎn)流程取得了一定進展，產(chǎn)量和質(zhì)量問題將會(huì)得到解決，專門用于生產(chǎn)MRAM的獨(dú)有工具也將變得更加常見體驗區，并更多地嵌入到代工生產(chǎn)中增多。這樣就能降低成本活動上，并增加可用性。
 
MRAM獨(dú)特功能可以替換現(xiàn)有內(nèi)存進一步推進，比如SRAM導向作用，或者共同創(chuàng)建新的用例。正在設(shè)法使MRAM盡可能地和SRAM相像應用的選擇，二者的價(jià)值定位相同十大行動，但是在相同的占位面積內(nèi)，MRAM能提供三到四倍多的內(nèi)存背景下，而且不會(huì)有SRAM帶來的任何泄漏情況出現(xiàn)綜合措施。然而，不斷改進(jìn)材料非常重要自然條件，采用一種適用于任何磁隧道結(jié)的電路級(jí)方法設計標準，這種方法能讓其在耐久性方面得到重大改進(jìn)，從而提高性能將進一步。
 
Everspin公司生產(chǎn)的MRAM有兩種類型——切換MRAM和STT MRAM充分發揮。STT MRAM需要控制器啟用或FPGA，該公司也一直在通過其伙伴關(guān)系發(fā)展其生態(tài)系統(tǒng)成就。Everspin代理英尚國(guó)際有限公司可提供MRAM樣品測(cè)試及應(yīng)用解決方案等產(chǎn)品服務(wù)重要方式。

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