Everspin科技有限公司是全球領(lǐng)先的設計, 制造嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋轉(zhuǎn)移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生產(chǎn)商最為突出，自從Everspin第一款產(chǎn)品進入市場生產製造，由于MRAM可以保持數(shù)據(jù)持久性和完整性開展試點、低功耗等特性，在應用程序設計中起到了安全性至關(guān)重要的作用共同，應用在數(shù)據(jù)中心推進一步、云存儲、能源簡單化、工業(yè)力度、汽車和運輸市場等, Everspin 科技公司為世界上 MRAM 用戶建立了最強大、最迅速的基礎系統性。
 
MR25H40CDF是Everspin 旗下一款容量為4Mb的磁阻隨機存取存儲器 (MRAM)勇探新路。位寬512K x 8。MR25H40CDF擁有35ns的讀/寫周期（無寫入延遲）傳遞，以及出色的耐讀/寫能力試驗。數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護開展攻關合作，以防止在非工作電壓期間寫入製度保障。對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應用，是理想的內(nèi)存解決方案逐步改善。
 
MR25H40CDF具有串行EEPROM 和串行閃存兼容的讀/寫時序意見征詢，沒有寫延遲和無限的讀/寫耐久性。與其他串行存儲器不同自動化裝置，MR25H40CDF系列的讀取和寫入都可以在內(nèi)存中隨機發(fā)生示範，寫入之間沒有延遲應用前景。
 
MR25H40CDF系列可在廣泛的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。MR25H40 (40MHz) 提供工業(yè)級（-40℃至 +85℃）運行好、擴展級（-40 至 105℃）和 AEC-Q100 1 級（-40℃ 至 +125℃）工作溫度范圍選項首次。采用 5 x 6mm、8引腳DFN封裝部署安排。引腳排列與串行 SRAM搖籃、EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容推廣開來。用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案推動，并消除了組裝電池以及可靠性問題和不利因素。everspin代理英尚微電子支持提供樣品測試及技術(shù)支持資源配置。
 
MR25H40系列

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ / Tray	MOQ / T&R
4Mb	512Kx8	MR25H40CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDFR	8-DFN sf	3.3v	Extended	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDF	8-DFN sf	3.3v	Extended	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	1140	4000

 

本文關(guān)鍵詞： Everspin,MR25H40CDF,MRAM

相關(guān)文章：MRAM獨特功能可以替換現(xiàn)有內(nèi)存

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商信息，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM大力發展、pSRAM豐富內涵、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案產能提升。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI適應性、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)通過活化、Everspin 落地生根、IPSILOG、LYONTEK健康發展、ISSI有效保障、CYPRESS、ISOCOME落實落細、PARAGON相結合、SINOCHIP、UNIIC製高點項目； 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM為產業發展、ETRON、FUJITSU資源優勢、LYONTEK高效利用、WILLSEMI。