三星半導(dǎo)體通過結(jié)構(gòu)創(chuàng)新優勢領先，實現(xiàn)了基于MRAM的存儲內(nèi)運算，進一步拓展了三星下世代低功耗AI芯片技術(shù)實力增強。
 
傳統(tǒng)的運算體系中，存儲中的數(shù)據(jù)要轉(zhuǎn)移到處理芯片的數(shù)據(jù)運算單元進行處理，因此其對于頻寬合作關系、延遲的要求非常高重要部署。
 
至于存儲內(nèi)運算則是一種新的運算模式長效機製，也可以當(dāng)作存儲與運算一體化的表現(xiàn)效果較好，也就是說重要的意義，在存儲中同時執(zhí)行數(shù)據(jù)儲存持續、數(shù)據(jù)運算處理等多個領域，無需移動數(shù)據(jù)。同時在存儲網(wǎng)路中的數(shù)據(jù)處理是以高度平行的方式執(zhí)行必然趨勢，因此提高性能的同時促進善治，還能大大降低功耗擴大。
 
如果與其他存儲比較，MRAM在運行速度發揮效力、壽命新格局、量產(chǎn)方面都有明顯優(yōu)勢，功耗也遠低于傳統(tǒng)DRAM安全鏈，關(guān)鍵是還具有非揮發(fā)的特點顯示，斷電也不會丟失數(shù)據(jù)。
 
可是MRAM也有其缺點真正做到，因為很難用于存儲內(nèi)運算科普活動，使得在標準的存儲內(nèi)運算架構(gòu)中無法發(fā)揮低功耗優(yōu)勢。為了克服這一點強化意識，三星研究團隊設(shè)計了一種名為“電阻總和”的新型存儲內(nèi)運算架構(gòu)長期間，取代“電流總和”架構(gòu)，進而成功開發(fā)了一種能演示存儲內(nèi)運算架構(gòu)的MRAM陣列芯片現場，命名為“用于存儲內(nèi)運算的磁阻式存儲交叉陣列”高端化。
 
目前來看，這一交叉陣列成功解決了單個MRAM小電阻問題我有所應，從而降低功耗提單產，實現(xiàn)了基于MRAM的存儲內(nèi)運算。按照三星研究至關重要，在執(zhí)行AI運算時關註，采用MRAM存儲內(nèi)運算可以實現(xiàn)98%的筆跡辨識成功率、以及93%的人臉辨識準確率無障礙。
 
全球MRAM市場2021年至2026年的年復(fù)合成長率將達25%連日來，并于2026年達到62億美元的規(guī)模。該市場的主要驅(qū)動力是對穿戴式裝置的需求增加認為、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的高度采用系統、運算技術(shù)的進步、對更高存儲空間的需求以及縮短啟動時間等因素重要意義。除了三星之外交流等，Avalanche、CROCUS規劃、Honeywell以及Everspin都是主要MRAM制造商防控。

Everspin Technologies是一家開發(fā)和制造磁性RAM或磁阻隨機存取存儲器（MRAM）的公共半導(dǎo)體公司，其中包括獨立和嵌入式MRAM產(chǎn)品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）適應性。Everspin Technologies提供Toggle MRAM堅實基礎，自旋轉(zhuǎn)矩MRAM，嵌入式MRAM重要作用，磁性傳感器以及航空和衛(wèi)星電子系統(tǒng)等地，公司產(chǎn)品應(yīng)用于工業(yè)最為顯著，汽車，運輸和企業(yè)存儲市場規定。
 
 
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