隨著萬物智聯(lián)時(shí)代的到來，智能汽車等新興應(yīng)用場景對(duì)存儲(chǔ)提出了更高的性能要求資料。MB85RS2MLY可用于需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的ADAS等應(yīng)用的FRAM存儲(chǔ)芯片凝聚力量。
 
  MB85RS2MLY在-40℃至+125℃的溫度范圍內(nèi)保證10萬億次讀/寫循環(huán)次數(shù)全技術方案。此特性對(duì)于某些需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用程序是最佳的使用。例如建設應用，如果連續(xù)10年每天每0.1秒記錄一次數(shù)據(jù)引人註目，則寫入次數(shù)超過30億次非常重要】瞻讌^？煽啃詼y試符合AEC-Q1001級(jí)協調機製，從數(shù)據(jù)寫入耐久性和可靠性的角度來看，MB85RS2MLY保證可用于需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的ADAS等應(yīng)用形勢。采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的8引腳SOP封裝高質量，可以輕松替換具有類似封裝的現(xiàn)有EEPROM。此外選擇適用，還提供尺寸為5.0x6.0x0.9mm的8引腳DFN（雙扁平無引線）封裝管理。
 
  FeRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，與EEPROM和閃存相比業務指導，具有更高的讀/寫耐久性改進措施、更快的寫入速度和更低的功耗。FeRAM已被對(duì)傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器的規(guī)格不滿意的客戶所采用長足發展。


本文關(guān)鍵詞：FRAM

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