單片機(jī)內(nèi)存資源通常包括ram（隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器）和Flash存儲(chǔ)器提供有力支撐。ram用于運(yùn)行時(shí)數(shù)據(jù)和堆棧進行探討，而Flash存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)程序代碼和只讀數(shù)據(jù)用的舒心。這兩者的資源都是有限的規劃，因此必須謹(jǐn)慎使用，以免浪費(fèi)和不必要的內(nèi)存占用完成的事情。
 
    一物聯與互聯、內(nèi)存優(yōu)化的重要性
 
    1、節(jié)省成本
    單片機(jī)內(nèi)存資源是有限的改造層面，額外的內(nèi)存芯片會(huì)增加成本紮實。通過(guò)內(nèi)存優(yōu)化，可以選擇更小容量的單片機(jī)新體系，從而節(jié)省硬件成本投入力度。
 
    2、提高性能
    內(nèi)存優(yōu)化可以減少內(nèi)存訪問(wèn)時(shí)間不難發現，從而提高程序執(zhí)行效率貢獻法治，降低功耗，延長(zhǎng)電池壽命發展需要。
 
    3攻堅克難、增強(qiáng)可維護(hù)性
    內(nèi)存優(yōu)化的代碼通常更加簡(jiǎn)潔和清晰，易于維護(hù)和理解顯示，減少了代碼的復(fù)雜性雙向互動。
 
    英尚微提供的串行PSRAM存儲(chǔ)器件，包括有小容量512Kb~64Mb大容量的SRAM芯片設計能力，該器件有SPI,QPI接口品牌，支持單片機(jī)SPI,QPI接口深入開展，該RAM可配置為1位輸入和輸出獨(dú)立接口或4位I/O通用接口。所有必要的刷新操作都由設(shè)備本身負(fù)責(zé)等形式。具有封裝小建議，容量大，成本低的優(yōu)勢(shì)相貫通。


本文關(guān)鍵詞：ram,PSRAM,SRAM

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