異步SRAM是一種使用基于觸發(fā)器的鎖存電路來(lái)存儲(chǔ)每一位的易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）先進技術。只要供電措施，數(shù)據(jù)位就保留在存儲(chǔ)器中。英尚微提供業(yè)界最廣泛的異步SRAM產(chǎn)品組合，從256K到64M道路。
 
    英尚微EMI504NF08VA是一款容量為4Mb的高速靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM，512K字乘8位。它使用8條公共輸入和輸出線，并具有輸出使能引腳空間廣闊，該引腳的操作速度快于讀取周期的地址訪問(wèn)時(shí)間。該器件采用先進(jìn)的CMOS工藝提供深度撮合服務、基于6-TR的單元技術(shù)制造服務品質，并設(shè)計(jì)用于高速電路技術(shù)。封裝采用44-TSOP2事關全面。它特別適合在高密度高速系統(tǒng)應(yīng)用中使用表現明顯更佳。
 
    英尚微提供異步快速SRAM狀態，最快訪問(wèn)時(shí)間為8ns技術節能。它們的密度從256Kbit到64Mbit不等，支持1.8V到5V的寬電壓范圍廣泛認同。這些應(yīng)用程序用于諸如交換機(jī)和路由器之類(lèi)的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用程序國際要求。部分SRAM產(chǎn)品型號(hào)可替換ISSI以及Cypress，來(lái)?yè)P(yáng)等品牌鍛造。更多產(chǎn)品詳情及技術(shù)支持聯(lián)系英尚微競爭激烈。


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