MRAM優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用場(chǎng)景
2024-01-30 14:32:10
MRAM發(fā)展已有很長(zhǎng)的歷史，在IoT嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域擁有諸多應(yīng)用選擇適用，近年來(lái)基于自旋矩轉(zhuǎn)移的STT MRAM成為了主流可持續，同時(shí)第三代的SOT MRAM正在逐漸產(chǎn)業(yè)化去突破。
隨著MRAM技術(shù)的不斷成熟和更廣泛的應(yīng)用環境，預(yù)計(jì)它將在塑造各行業(yè)未來(lái)計(jì)算方面發(fā)揮關(guān)鍵作用發展機遇。
工業(yè)領(lǐng)域形勢，應(yīng)用需要具有非愁I先水平？斓膶?xiě)入能力，且需要非易失性存儲(chǔ)即將展開，但NAND大幅增加、NOR和 EEPROM寫(xiě)入慢特性，耗電多，還要額外搭配電池的SRAM等特點，此時(shí)MRAM的優(yōu)勢(shì)就體現(xiàn)出來(lái)了建言直達。
邊緣計(jì)算旨在源頭處處理數(shù)據(jù)，而非將其傳輸至集中式數(shù)據(jù)中心建設應用，從而降低延遲和帶寬需求支撐作用，特別適用于對(duì)實(shí)時(shí)決策有要求的人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用。
得益于
MRAM在斷電狀態(tài)下仍能保存數(shù)據(jù)動力，它為邊緣計(jì)算設(shè)備提供了可靠且持久的存儲(chǔ)綜合措施，確保關(guān)鍵數(shù)據(jù)在電力中斷時(shí)不會(huì)丟失。
此外自然條件，MRAM的應(yīng)用潛力遠(yuǎn)超人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域設計標準。其獨(dú)特的速度、耐用性和非揮發(fā)性相結(jié)合互動互補，使其成為數(shù)據(jù)中心發揮重要帶動作用、汽車(chē)系統(tǒng)和消費(fèi)電子產(chǎn)品等廣泛應(yīng)用的理想之選。
本文關(guān)鍵詞：MRAM
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