目前臺(tái)積電、英特爾領先水平、三星服務為一體、格芯高質量、聯(lián)電等各大芯片廠商對(duì)于MRAM的布局高效，研發(fā)以及生產(chǎn)都在如火如荼地展開(kāi)用上了。
 
    英特爾也是MRAM技術(shù)的主要推動(dòng)者求得平衡，該公司采用的是基于FinFET技術(shù)的22nm制程方便。2018年底，英特爾首次公開(kāi)介紹了其MRAM的研究成果積極性，推出了一款基于22nmFinFET制程的STT-MRAM奮勇向前，當(dāng)時(shí)，該公司稱實施體系，這是首款基于FinFET的MRAM產(chǎn)品組建，并表示已經(jīng)具備該技術(shù)產(chǎn)品的量產(chǎn)能力。
 
    2019年深度，Everspin與晶圓代工廠格芯合作帶動擴大，試生產(chǎn)28nm1GbSTT-MRAM產(chǎn)品；2020年3月開拓創新，雙方宣布已將聯(lián)合開(kāi)發(fā)的STT-MRAM器件的制造持續發展，擴(kuò)展至12nmFinFET平臺(tái)，通過(guò)縮小制程有助于雙方進(jìn)一步拉低1Gb芯片成本促進善治。Everspin在數(shù)據(jù)中心擴大、云存儲(chǔ)、能源發揮效力、工業(yè)進行探討、汽車和運(yùn)輸市場(chǎng)中部署了超過(guò)1.2億個(gè)MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品。
 
    2022年6月服務水平，瑞薩宣布已開(kāi)發(fā)出用于STT-MRAM測(cè)試的電路技術(shù)使用22nm工藝制造的具有快速讀寫(xiě)操作的芯片。
 
    2018年聯(lián)電與Avalanche Technology宣布建立合作伙伴關(guān)系技術創新，共同開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)MRAM處理方法，以取代嵌入式閃存。2022年持續向好，聯(lián)電宣布與Avalanche Technology合作推出22納米STT-MRAM習慣，將應(yīng)用于航天等領(lǐng)域。