Everspin Technologies作為MRAM技術(shù)的領(lǐng)先者廣泛應用，其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的貢獻(xiàn)和影響力不容忽視攻堅克難。MRAM技術(shù)的獨(dú)特之處在于其結(jié)合了RAM的高速性能與閃存的非易失性特性激發創作，為用戶提供了卓越的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)體驗(yàn)。
 
    Everspin的MRAM產(chǎn)品采用了先進(jìn)的磁性隧道結(jié)技術(shù)問題分析，通過固定磁層與可翻轉(zhuǎn)磁層之間的相互作用有力扭轉，實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)的穩(wěn)定存儲(chǔ)結構。這種設(shè)計(jì)不僅確保了數(shù)據(jù)的長(zhǎng)期可靠性相貫通，還避免了傳統(tǒng)存儲(chǔ)介質(zhì)中可能存在的數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)。
 
    代理英尚微提供的MRAM在性能方面使用，技術(shù)展現(xiàn)出了出色的表現(xiàn)合規意識。其高速讀寫能力和低延遲特性，使得MRAM在各類應(yīng)用場(chǎng)景中都能發(fā)揮出卓越的性能有效性。無論是在數(shù)據(jù)中心創新內容、云計(jì)算環(huán)境，還是在工業(yè)自動(dòng)化廣泛關註、汽車及航空航天等領(lǐng)域善於監督，Everspin的MRAM技術(shù)都能為用戶提供穩(wěn)定、高效的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)支持就能壓製。

 Everspin SPI MRAM

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	Order Multiple /Tray	MOQ / T&R
4Mb	512Kx8	MR25H40CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	570	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	570	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	570	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDF	8-DFN sf	3.3v	Extended	570	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDFR	8-DFN sf	3.3v	Extended	570	4000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	4,000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDFR	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	570	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	570	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDC	8-DFN	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	570	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDCR	8-DFN	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	570	4,000

 

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