由于存儲芯片價格連連下跌，2023年幾大存儲原廠出現(xiàn)集體虧損問題，虧損預(yù)估達(dá)破紀(jì)錄的50億美元關鍵技術。報告顯示應用創新，2023年全球存儲器市場規(guī)模下降37%使用，成為半導(dǎo)體市場中下降最大的細(xì)分領(lǐng)域深入交流。
 
    在存儲市場供過于求著力提升，上游出現(xiàn)庫存積壓時，存儲原廠可通過降價又進了一步、減產(chǎn)等手段來調(diào)控存庫存水位多種場景。減產(chǎn)和降價是一套組合拳，每當(dāng)銷售價格接近生產(chǎn)成本時規劃，原廠會加大減產(chǎn)力度擴大公共數據，直至帶動存儲芯片價格上漲。
 
    2022年Q4起帶動擴大，鎧俠核心技術體系、美光科技、SK海力士核心技術、西部數(shù)據(jù)等存儲大廠陸續(xù)啟動減產(chǎn)應用提升、調(diào)整供給的舉措。緊接著創造性，2023年上半年三星也加入了減產(chǎn)的行列發展的關鍵，到去年9月，其NAND Flash的產(chǎn)量削減至總產(chǎn)能的50%規模設備，這主要集中在128層堆疊以下產(chǎn)品真諦所在。
 
    在存儲原廠共同的努力下，NAND Flash(閃存)和DRAM(內(nèi)存)的合約價分別于去年Q3和Q4止跌競爭力。到今年Q1全線存儲產(chǎn)品已經(jīng)復(fù)蘇充分，DRAM合約價格上漲20%，NAND漲幅達(dá)23%-28%製造業。預(yù)計DRAM在今年Q2會小幅上漲3%-8%優化服務策略，NAND上漲13%-18%，但在5月上旬又修正了Q2的數(shù)據(jù)發展基礎，DRAM預(yù)計上漲13%-18%，NAND預(yù)計上漲15%-20%建強保護。
 
    今年4月3日的“花蓮地震”是一個轉(zhuǎn)折點同期。震前，DRAM和NAND上漲動力稍顯不足使命責任，其現(xiàn)貨價格和交易量均已持續(xù)走低效果。但震后，PC廠商開始接受DRAM合規意識、NAND合約價的大漲價密度增加，一直到今年4月底，新一輪合約價談判陸續(xù)完成創新內容，其價格漲幅超過預(yù)期機遇與挑戰。


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