FeRAM鐵電存儲器是通過利用鐵電晶體材料電壓與電流關系具有特征滯后回路的特點來實現(xiàn)信息存儲。將ROM的非易失性數(shù)據存儲特性和RAM的無限次讀寫數據顯示、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結合在一起引領作用。FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器自然條件。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器（如EEPROM初步建立、閃存）相比，F(xiàn)RAM不需要用于數(shù)據保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗對外開放。
 
    FeRAM技術特點：
 
    非易失性：FeRAM最顯著的特點是其在斷電后數(shù)據不會丟失，是非易失性存儲器深入交流研討；
    高速讀寫：FeRAM的讀寫速度相對較快資料，存取時間通常在50ns左右，循環(huán)周期約為75ns關註度，這使得它在需要快速數(shù)據訪問的場合具有優(yōu)勢橫向協同；
    壽命長：FeRAM具有較高的讀寫耐久性，通常能夠達到數(shù)十億次的讀寫循環(huán)敢於挑戰，遠超過傳統(tǒng)的EEPROM和閃存不斷創新；
?    低功耗：由于FeRAM在存儲數(shù)據時不需要額外的電源來維持數(shù)據狀態(tài)，因此功耗相對較低提供了遵循；
?    可靠性高：兼容CMOS工藝參與水平，工作溫度范圍寬，可靠性高服務效率。
 
    FeRAM存儲密度較低明確相關要求、容量有限，雖無法完全取代DRAM與NANDFlash統籌發展，但在對容量要求不高行業內卷、讀寫速度和頻率要求高、使用壽命要求長的場景中擁有發(fā)展?jié)摿χ饾u完善，適用于智能手表參與能力、智能卡、物聯(lián)網設備等消費電子領域異常狀況，以及汽車和工業(yè)機器人領域研究。
 
 
本文關鍵詞：FeRAM,FRAM

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