靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)是一種基于觸發(fā)器邏輯電路的半導(dǎo)體存儲器開放以來。只要處于上電狀態(tài)，SRAM中寫入的信息就不會消失建設應用，不需要刷新電路。傳統(tǒng)的硅(Si)基SRAM包括6個金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)品體管。
 
    在計算機存儲體系結(jié)構(gòu)中新創新即將到來，SRAM的存儲速度較快講道理，主要用于高速緩存，一般集成在中央處理器(CPU)中具有重要意義。隨著計算機性能的不斷提升研究，SRAM作為數(shù)據(jù)交換的重要媒介高效，在CPU中所占的面積越來越大，導(dǎo)致功耗提高、性能機構、面積和成本發(fā)生嚴(yán)重的退化。
 
為此交流，學(xué)界和業(yè)界都提出利用3D堆疊的方式基礎，在不斷改進(jìn)芯片工藝的同時，提高芯片的面積利用率還不大。SRAM相對于其他邏輯計算單元高產，是一個相對獨立的模塊，利用后道工藝或疊層工藝更容易將SRAM與邏輯器件進(jìn)行3D集成發揮作用。
 
    然而良好，對于傳統(tǒng)的硅基SRAM來說，采用BEOL工藝或看層工藝的實現(xiàn)3D集成的難度非常大勇探新路，對工藝溫度的要求也很高單產提升。雖然，氧化物半導(dǎo)體具有可堆疊和低溫工藝的優(yōu)勢試驗，但氧化物半導(dǎo)體為單極性溝道材料勞動精神，應(yīng)用于SRAM中，會使SRAM的電路設(shè)計更加復(fù)雜製度保障，導(dǎo)致SRAM內(nèi)的器件(例如晶體管)以及器件間連接走線占用的面積隨之增大預下達。
 
    華為申請實施例提供一種存儲器、電子設(shè)備統籌推進，涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域方案，用于在實現(xiàn)單極性存儲器的同時，提高存儲器的面積利用率了解情況。該存儲器包括第一電路結(jié)構(gòu)層深入、第二電路結(jié)構(gòu)層和多個互連結(jié)構(gòu)。
 
    第一電路結(jié)構(gòu)層包括第一反相器重要的。第二電路結(jié)構(gòu)層包括第二反相器開展研究。第一反相器的多個品體管和第二反相器的多個品體管極性相同。第反相器的多個品體管,及第二反相器的多個品體管均沿平行于參考面的第一方向依次排列相互融合。第一反相器的多個品體管在參考面上的正投影與第反相器的多個品體管在參考面上正投影交疊:且第一反相器和第二反相器通過多個互連結(jié)構(gòu)電連接首要任務。上述存儲器應(yīng)用于電子設(shè)備中，以提高電子設(shè)備的存儲能力更加完善。


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