MRAM技術(shù)在理論上具備超越DRAM的存取速度，接近SRAM的性能標準，并且在斷電后能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失改革創新。Everspin MRAM產(chǎn)品具有抗熱消磁功能的eMRAM技術(shù)，該技術(shù)能夠在150攝氏度的高溫下保持?jǐn)?shù)據(jù)長達(dá)數(shù)十年取得明顯成效，并采用了22納米制程技術(shù)約定管轄。
 
    相較于現(xiàn)有的FLASH、靜態(tài)SRAM創新的技術、動(dòng)態(tài)DRAM發揮，MRAM展現(xiàn)了卓越的性能。在“非揮發(fā)性”特性上快速增長，目前僅有MRAM和FLASH具備此功能開放以來；而在“隨機(jī)存取”特性上，F(xiàn)LASH不具備，僅MRAM提供了有力支撐、DRAM激發創作、SRAM具備。除此之外進一步意見，MRAM還具備以下優(yōu)勢：
 
    首先增幅最大，在芯片面積方面，MRAM與FLASH同屬于小尺寸芯片生產能力，占用空間最袠藴?。籇RAM芯片面積屬于中等尺寸處理方法，而SRAM芯片則屬于大尺寸重要作用，占用空間最大。
 
    其次習慣，在寫入次數(shù)方面充足，MRAM、DRAM以及SRAM均能實(shí)現(xiàn)約無限次的寫入導向作用，而FLASH的寫入次數(shù)大約為10^6次方案。
 
    第三，在嵌入式設(shè)計(jì)規(guī)格方面十大行動，DRAM左右、SRAM、FLASH通常具有較低的良率綜合措施，需要增加芯片面積以適應(yīng)設(shè)計(jì)規(guī)格可靠保障；而MRAM則具備高性能，無需增加芯片面積的特殊設(shè)計(jì)設計標準。
 
    第四開展，在讀取速度方面，MRAM和SRAM的讀取速度最快發揮重要帶動作用，均為25～100納秒意向，MRAM略快于SRAM；DRAM的讀取速度為50～100納秒文化價值，屬于中等速度形式；相比之下，F(xiàn)LASH的讀取速度最慢不斷完善。
 
    最后數字化，在耗電量方面，MRAM和SRAM都具有低耗電的優(yōu)勢基礎上，F(xiàn)LASH的耗電量屬于中等水平各領域，而DRAM則具有較高的耗電量應用領域。英尚微代理供應(yīng)Serial MRAM、Parallel MRAM進行培訓、Quad Serial MRAM發展機遇、xSPI STT-MRAM、DDR3/DDR4 ST-MRAM等各種系列和容量的MRAM存儲芯片組織了。


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